Die Power-MOS-8-Punch-Through-IGBT-Serie erfüllen die Anforderung für den Einsatz in 600- und 900-V-Applikationen. Einsatzbereiche: Solarumrichter, Hochleistungs-SMPS oder industrielles Equipment wie Schweiß- und Ladegeräte. Preislich rangieren die Bausteine zwischen 2,09 und 7,04 bzw. 3,01 und 9,44$ in Kombination mit den schnellen DQ-Freilaufdioden. Vorteile: Punch-Through-Technologie, schnelles Switching, hohe Effizienz, niedrige Sättigungsspannung, niedrige Schaltverluste. Der VCE(on) liegt bei 2V und 2,5V für die 600- bzw. 900-V-Applikationen.

VORTEIL Die Bauteile glänzen mit niedrigen Gesamtkosten durch weniger Schaltverluste und damit einer höheren Effizienz.