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Störungen und Spannungsabfälle minimieren

In Hochleistungsanwendungen findet man inzwischen IGBTs mit Gatekapazitäten im dreistelligen Nanofarad-Bereich. Zum Ein- und Ausschalten eines IGBT muss im Prinzip nur diese Kapazität ge- beziehungsweise entladen werden. Der hierfür erforderliche Strom verursacht jedoch durch die Spannungsabfälle in der Gatetreiber-Schaltung und im IGBT selbst erhebliche Verluste.