Tag: gan-transistor

Mit GaN-Transistoren hohe Wirkungsgrade in Netzteilen erzielen

Mit Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien lassen sich enorm kurze Schaltzeiten erreichen. Das führt zu verschiedenen Vorteilen. Allerdings müssen Entwickler bei der Verwendung solcher Bauteile einige Dinge beachten.

Dipl.-Ing. Sebastian Fischer, Erich Hinterleitner

23. July 2020

GaN erschließt neues Terrain

Transistoren für schnelle Antriebe mit hoher Leistungsdichte

Anders als Schaltnetzteile arbeiten Wechselrichter für Dreiphasen-Motoren überwiegend mit niedrigen Schaltfrequenzen im zweistelligen Kilohertzbereich. Motoren mit hoher Leistung waren und besaßen Wicklungen mit hoher Induktivität. Infolge der Weiterentwicklung der Motortechnik nehmen jedoch Leistungsdichte und Drehzahl zu, was höhere Ansteuerfrequenzen erfordert. Um Leitungs- und Schaltverluste trotzdem niedrig zu halten, kommen hier vermehrt GaN-Transistoren im Wechselrichter zum Einsatz.

Redaktion

4. September 2017

GaN-Transistorgehäuse

TO-247-Gehäuse verbessert Wirkungsgrad für 600-V-GaN-Transistoren

Warum sich ein TO-247-Gehäuse gut für GaN-Transistoren eignet, demonstriert Transphorm mit Messreihen an realen PFC-Schaltungen. Die Halbleiter schalten 600 V in wenigen Nanosekunden bei Verlustleistung im Wattbereich. Besonders für Wechselrichter bis zu mehreren Kilowatt wird die GaN-Technologie zunehmend attraktiver.

Jim Honea

23. July 2015

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Mit GaN-Transistoren hohe Wirkungsgrade in Netzteilen erzielen

Transistoren für schnelle Antriebe mit hoher Leistungsdichte

TO-247-Gehäuse verbessert Wirkungsgrad für 600-V-GaN-Transistoren