Tag: hafniumoxid

Kleines Elektronikmodul mit Kontaktleiste auf buntem Leiterplatten-Hintergrund.

Integration in industrielle Chipfertigung

Ferroelektrische Speicher sichern Daten schnell und dauerhaft

Energie sparen, schneller rechnen und Daten dauerhaft speichern: dem Fraunhofer-IPMS ist es gemeinsam mit GlobalFoundries gelungen, ultraschnelle ferroelektrische FRAM-Speicher auf Basis von Hafniumoxid in eine industrielle Fertigungstechnologie zu integrieren.

Jessica Mouchegh

15. June 2026

Ali Pourkeramati ist CEO von FMC Dresden.

Interview mit Ali Pourkeramati, CEO von FMC Dresden

FeFET: Vorteile und Markt-Potenziale der Speichertechnologie

Die FeFET-Speichertechnologie von FMC Dresden machte 2018 das erste Mal von sich Reden und bescherte dem Start-up 2020 eine 20 Millionen US-Dollar schwere B-Finanzierung. all-electronics.de hat sich bei CEO Ali Pourkeramati nach den Hintergründen und der Zukunft der Technologie erkundigt.

Nicole Ahner

4. August 2021

FeFETs sind CMOS-kompatible Speicherlösungen, die auf der ferroelektrischen Kristallphase dotierten Hafniumoxids beruhen.

Mit Hafniumoxid voll CMOS-kompatibel

FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein

Die Ferroelectric Memory GmbH (FMC) aus Dresden stellt mit ihren FeFETs (ferroelektrischen FETs) eine Speichertechnologie vor, die die ferroelektrischen Eigenschaften einer Kristallkonfiguration von dotiertem Hafniumoxid (HfO2) nutzt. Skalierbar, CMOS-kompatibel und rein auf einem Feldeffekt beruhend lassen sich mit der Technologie Speicher mit hoher Geschwindigkeit und signifikant reduzierter Leistungsaufnahme fertigen.

Dr.-Ing. Nicole Ahner

11. July 2018

Tag: hafniumoxid

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Ferroelektrische Speicher sichern Daten schnell und dauerhaft

FeFET: Vorteile und Markt-Potenziale der Speichertechnologie

FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein