Tag: hafniumoxid

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FeFET: Vorteile und Markt-Potenziale der Speichertechnologie

Die FeFET-Speichertechnologie von FMC Dresden machte 2018 das erste Mal von sich Reden und bescherte dem Start-up 2020 eine 20 Millionen US-Dollar schwere B-Finanzierung. all-electronics.de hat sich bei CEO Ali Pourkeramati nach den Hintergründen und der Zukunft der Technologie erkundigt.

Nicole Ahner

4. August 2021

Mit Hafniumoxid voll CMOS-kompatibel

FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein

Die Ferroelectric Memory GmbH (FMC) aus Dresden stellt mit ihren FeFETs (ferroelektrischen FETs) eine Speichertechnologie vor, die die ferroelektrischen Eigenschaften einer Kristallkonfiguration von dotiertem Hafniumoxid (HfO2) nutzt. Skalierbar, CMOS-kompatibel und rein auf einem Feldeffekt beruhend lassen sich mit der Technologie Speicher mit hoher Geschwindigkeit und signifikant reduzierter Leistungsaufnahme fertigen.

Dr.-Ing. Nicole Ahner

11. July 2018