Sponsored Mehr Leistungsdichte und höhere Betriebstemperaturen Vorteile von Trench-Schottky-Dioden bei hohen Schaltfrequenzen Im Vergleich zu planaren Dioden bieten Trench-Schottky-Dioden Entwicklern viele Vorteile. Dazu gehören geringe Schaltverluste und ein größerer sicherer Betriebsbereich (SOA). Besonders bei hohen Schaltfrequenzen machen sich die Vorteile bemerkbar. Dr. Reza Behtash, Nexperia 6. December 2021
Weniger Verluste im On-Board-Charger GaN-FETs im E-Auto: Design-Herausforderungen bei hohen Frequenzen Beim Bordladegerät (OBC) von EV haben höhere Laderaten zu einer Leistungsanhebung auf 22 kW geführt. Aber gleichzeitig muss der OBC in den vorhandenen Einbauraum passen und darf nicht überhitzen. Dies ist mit GaN-FETs auch heute schon realisierbar. Ramanan Natarajan 15. March 2021
Potenziale voll ausnutzen Mit GaN-Transistoren hohe Wirkungsgrade in Netzteilen erzielen Mit Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien lassen sich enorm kurze Schaltzeiten erreichen. Das führt zu verschiedenen Vorteilen. Allerdings müssen Entwickler bei der Verwendung solcher Bauteile einige Dinge beachten. Dipl.-Ing. Sebastian Fischer, Erich Hinterleitner 23. July 2020
GaN erschließt neues Terrain Transistoren für schnelle Antriebe mit hoher Leistungsdichte Anders als Schaltnetzteile arbeiten Wechselrichter für Dreiphasen-Motoren überwiegend mit niedrigen Schaltfrequenzen im zweistelligen Kilohertzbereich. Motoren mit hoher Leistung waren und besaßen Wicklungen mit hoher Induktivität. Infolge der Weiterentwicklung der Motortechnik nehmen jedoch Leistungsdichte und Drehzahl zu, was höhere Ansteuerfrequenzen erfordert. Um Leitungs- und Schaltverluste trotzdem niedrig zu halten, kommen hier vermehrt GaN-Transistoren im Wechselrichter zum Einsatz. Redaktion 4. September 2017