Tag: schaltverluste

Wie SiC-MOSFETs in SMD-Gehäusen Wandler-Verluste reduzieren

SiC-MOSFETs erreichen hohe Schaltgeschwindigkeiten und reduzieren Verluste leistungselektronischer Wandler, traditionelle Gehäuse limitieren dies jedoch. Welche Vorteile geeignete Gehäuse bringen, zeigt ein Praxis-Beispiel.

Christian Felgemacher, Felipe Filsecker, Farhan Beg, Aly Mashaly, Seiya Kitagawa

7. March 2019

Verluste minimieren, Durchlassverhalten optimieren

Technologische Fortschritte bei Si-IGBTs im Spannungsbereich bis 1200 V

Fortschritte im Herstellungsprozess von Silizium-IGBTs verbessern das Schaltverhalten und verringern die Verluste im Durchlasszustand. Für den Anwender bleibt jedoch die Frage nach dem für eine Anwendung am besten geeigneten Leistungsschalter. Der Beitrag betrachtet diese Frage aus einer technischen Perspektive im Licht aktueller Entwicklungen bei Si-IGBTs mit Fokus auf Sperrspannungen von 600 bis 750 V.

Dr.-Ing. Anton Mauder, Dr. rer nat Frank Wolter

30. May 2018

Pro und contra Zero-Voltage-Switching-Konzept

Damit Schaltnetzteile einen hohen Wirkungsgrad erreichen, nutzen viele Entwickler eine resonant schaltende Topologie. Das Zero-Voltage-Switching-Konzept (ZVS) gilt oft als Patentlösung, weist jedoch auch Einschränkungen auf. Mögliche Fehlerquellen bei der Implementierung der ZVS-Topologie beleuchtet dieser Beitrag.

Sanjay Havanur

13. April 2017

Weiches Schalten mit ZVS-Buck-Topologie

Durch die Verbesserung der eingesetzten Topologie ist ein Abwärtswandler mit höherer Eingangsspannung, besserem Wirkungsgrad und kleinerer Bauform realisierbar. Der PI33xx von Vicor ermöglicht Eingangsspannungen bis 36 V und erzielt eine bessere Performance als konventionelle, hartgeschaltete Regler.

Chris R. Swartz

21. January 2014

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Wie SiC-MOSFETs in SMD-Gehäusen Wandler-Verluste reduzieren

Technologische Fortschritte bei Si-IGBTs im Spannungsbereich bis 1200 V

Pro und contra Zero-Voltage-Switching-Konzept

Weiches Schalten mit ZVS-Buck-Topologie