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SiC-Schottky-Dioden im Stresstest

Die dV/dt-Festigkeit ist eine zentrale Kenngröße von Schottky-Dioden auf Basis von Siliziumkarbid (SiC). Um diesen Wert zu überprüfen, sind besonders leistungsstarke Impulsgeber erforderlich, welche die Dioden bis zur Leistungsgrenze belasten. Impulsgeber mit Schaltgeschwindigkeiten von mehreren hundert Volt pro Nanosekunde lassen sich mithilfe von Lawinen-Transistoren und C2M-MOSFETs von Cree entwickeln.

Dieter Liesabeths

25. November 2015

Verlustarmes SiC-MOSFET-Modul

Das Thema des Beitrages ist ein aus SiC-Schottky-Dioden und SiC-MOSFETs zusammengesetztes Power-Modul für 1200 V und 120 A. Es wird eine Methode gezeigt, mit der sich bei gleichen Abmessungen der Nennstrom der SiC-Power-Module und des neuen Power-Moduls für 1200 V auf 180 A anheben lässt.

Jochen Hüskens

27. August 2013