Tag: silizium

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Halbleiterherstellung: High-Tech am Limit

Halbleiterproduktion erklärt – Der lange Weg zum Chip

Halbleiter sind Kern moderner Elektronik. Ihre Herstellung ist aufwendig, komplex und teuer. Mit hochpräzisen Verfahren und innovativen Technologien entstehen die winzigen Schaltkreise, die alles antreiben – von Smartphones bis hin zu Supercomputern.

Martin Probst

24. October 2024

Presentation by Aart de Geus, Synopsys, at the 28th AEK

How electronics is transforming the automotive industry

At the 28th Automobil-Elektronik (AEK), Synopsys' Aart de Geus discussed how advances in electronics and artificial intelligence are revolutionising the automotive industry, and the new opportunities and challenges they present.

Dr. Martin Large

25. June 2024

Vortrag von Aart de Geus, Synopsys, auf dem 28. AEK

Wie Elektronik die Automobilbranche verändert

Aart de Geus von Synopsys beleuchtete auf dem 28. Automobil-Elektronik Kongress, wie die Fortschritte in Elektronik und Künstlicher Intelligenz die Automobilindustrie revolutionieren und welche neuen Chancen und Herausforderungen sich daraus ergeben.

Martin Probst

19. June 2024

Was kommt nach Silizium?

Erster funktionaler Halbleiter aus Graphen vorgestellt

Forscher am Georgia Institute of Technology haben den weltweit ersten funktionalen Halbleiter aus Graphen hergestellt. Dafür mussten sie eine Hürde überwinden, die die Graphenforschung seit Jahrzehnten plagt.

Dr. Martin Large

15. January 2024

Die Rolle der kritischen Rohstoffe für die Elektroindustrie

Silizium – ein risikobehafteter Rohstoff?

Die Liste der kritischen Rohstoffe wird länger. Auch, wenn die Versorgungslage viele Rohstoffe betrifft, gibt es einige, die unabhängig von den aktuellen Turbulenzen als kritisch eingestuft werden.

Simone Deigner

19. January 2022

Förderung auf Europa-, Bundes- und Landesebene

Der Weg zum Quantencomputer: Herausforderungen und Potenzial

Wie geht die Entwicklung des Quantencomputers in Europa voran und warum gerade das Qubit auf Silizium-Basis besonders hohes Potenzial zeigt, erfahren Sie hier.

Nicole Ahner

27. July 2021

Gartner Hype Cycle für aufkommende Technologien 2020

Diese fünf Technologie-Trends sollen die Zukunft verändern

Im Hype Cycle for Emerging Technologies 2020 hebt Marktforscher Gartner 30 Technologieprofile hervor, die Gesellschaft und Wirtschaft in den nächsten fünf bis zehn Jahren erheblich verändern können. Insbesondere 5 Trends stechen laut der Trendanalyse hervor.

Martin Probst

21. August 2020

Hochleistungs-HF-MEMS-Schalter

Passive Intermodulation und Power Handling

Der Beitrag beschreibt die Theorie von auf Silizium-Substrat basierter HF-MEMS-Technologie und demonstriert die Machbarkeit der Implementierung eines HF-Schalters mit hoher Leistung, geringem Verlust und hoher Linearität. Kommerzielle Zwei-Ton-Intermodulationstests zeigen ein IMD3 von 90 bis 110 dBm bei 850 MHz und von 90 dBm bei 3,6 GHz.

Ian Burke, Darryl Evans, Chris Keimel, Marten Seth, Xu Zhu

24. March 2020

Konkurrenz für Silizium-Solarzellen

Dünnschicht-Solarzellen erreichen Wirkungsgrad von 25 Prozent

Erstmals erzeugen Dünnschicht-Solarzellen so viel Energie wie herkömmliche Silizium-Solarzllen. Wissenschaftler der Universität Hasselt, des Imec und von Vito haben eine Energieeffizenz von 25 Prozent erreicht.

Gunnar Knuepffer

10. March 2020

Fusion-Bonding, DRIE und Co.

Verfahrenstechniken für MEMS-Niederdruckmesszellen auf Siliziumbasis

Nur wenige Unternehmen bieten Niederdrucksensoren für Drücke unter 20 mbar an, da sie nicht ganz einfach zu fertigen sind. Die Lösung liegt in einer Kombination von Verfahrenstechnologien.

Stefan Falk

9. October 2019

Ständig in Bewegung

Inertialsensoren erfassen Bewegungen und Position präzise

Vibrationen liefern Informationen, die sich mit einem Inertialsensor erfassen lassen. Dieser ist auch in der Positionsbestimmung einsetzbar. In beiden Fällen kann der Sensor auf kritische Sachverhalte hinweisen.

Dr. Thomas Frasch

18. April 2019

Verluste minimieren, Durchlassverhalten optimieren

Technologische Fortschritte bei Si-IGBTs im Spannungsbereich bis 1200 V

Fortschritte im Herstellungsprozess von Silizium-IGBTs verbessern das Schaltverhalten und verringern die Verluste im Durchlasszustand. Für den Anwender bleibt jedoch die Frage nach dem für eine Anwendung am besten geeigneten Leistungsschalter. Der Beitrag betrachtet diese Frage aus einer technischen Perspektive im Licht aktueller Entwicklungen bei Si-IGBTs mit Fokus auf Sperrspannungen von 600 bis 750 V.

Dr.-Ing. Anton Mauder, Dr. rer nat Frank Wolter

30. May 2018

Warum ein neues Sensor-Design notwendig ist

Anforderungen an Drucksensoren

Autos und LKWs überwachen ständig ihr Umfeld, sowohl außen als auch innen. Ermöglicht wird dies durch Sensoren. Tatsächlich stellt der Automobilbereich für manche Sensor-Typen nicht nur den größten, sondern auch den am schnellsten wachsenden Markt dar. Dabei werden die Anforderungen an die Qualität und Leistung immer höher.

Dr. Justin Gaynor

11. May 2017

Stressfaktor Spannung

Silizium-basierende Suppressordioden schützen ICs vor Überlast

Der Trend zu höherer Packdichte und niedrigerer Spannungsversorgung macht integrierte Schaltungen zugleich anfälliger gegen Überlastung. Electrical Overstress Transient Voltage Suppressors (EOS TVS) schützen ICs zwar davor, allerdings mussten Entwickler bei der Auswahl der diskreten Bauteile bisher immer Kompromisse eingehen.

Falko Ladiges

24. August 2016

Die nächste Generation

Weiße LEDs mit Galliumnitrid auf Silizium senken die Kosten

Der hohe Preis für LEDs liegt unter anderem an der aufwändigen Herstellung mit Galliumnitrid (GaN) auf Saphirsubstrat. Kostengünstiger sind Siliziumwafer als Träger. Toshiba hat seine GaN-auf-Silizium-Prozesstechnologie inzwischen soweit entwickelt, dass die weißen LEDs konkurrenzfähige Eigenschaften aufweisen und preiswertere Innen- und Außenbeleuchtungen versprechen.

Matthias Diephaus

27. March 2014

Roundtable Leistungselektronik

Galliumnitrid oder Siliziumkarbid

Seit über 50 Jahren ist Silizium (Si) der Baustoff von Leistungstransistoren, stößt aber mittlerweile an seine physikalischen Grenzen. Mit Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) stehen zwei Halbleitermaterialien in den Startlöchern, die bessere Eigenschaften versprechen.

Leitner

13. May 2011