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Wie GaN-Halbleiter Größe, Gewicht und Kosten des E-Autos reduzieren

Der Markt für Elektrofahrzeuge wächst zehnmal schneller als sein Pendant bei den Verbrennungsmotoren, wofür auch verbesserte Batterie- und Elektroniksysteme sowie Systemkomponenten verantwortlich sind. Welche Stellung dabei der Wide-Bandgap-Halbleiter GaN einnehmen soll, erklärt der Beitrag auf All-Electronics.de.

John Wilson, Philip Zuk

25. January 2019

TO-247-Gehäuse verbessert Wirkungsgrad für 600-V-GaN-Transistoren

Warum sich ein TO-247-Gehäuse gut für GaN-Transistoren eignet, demonstriert Transphorm mit Messreihen an realen PFC-Schaltungen. Die Halbleiter schalten 600 V in wenigen Nanosekunden bei Verlustleistung im Wattbereich. Besonders für Wechselrichter bis zu mehreren Kilowatt wird die GaN-Technologie zunehmend attraktiver.

Jim Honea

23. July 2015

Nicht nur für Hochfrequenz

Nachdem sie anfangs in Hochfrequenzanwendungen zum Einsatz kamen, sind MOSFETs inzwischen auch Leistungsbauteile geworden. Dem HEMT (High Electron Mobility Transistor) ergeht es nun ebenso, bei noch besseren Ergebnissen. Doch wie kann er konkret eingesetzt werden?

Wolf-Dieter Roth

29. April 2015

Aktive PFC mit bis zu 99 % Wirkungsgrad

Im Vergleich zu herkömmlichen Topologien besitzt die GaN-auf-Si-Schaltung die geringste Anzahl an schnellen Leistungsbausteinen und ermöglicht die widerstandsärmsten Strompfade ohne jeglichen Dioden-Spannungsabfall, wodurch modernste Umwandlungseffizienz erreicht wird.

Dr. YiFeng Wu, Liang Zhou

3. September 2013

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TO-247-Gehäuse verbessert Wirkungsgrad für 600-V-GaN-Transistoren

Nicht nur für Hochfrequenz

Aktive PFC mit bis zu 99 % Wirkungsgrad