United SiC bringt eine Serie an 750-V-FETs auf dem Markt, die auf der eigenen SIC-FET-Technologieplattform der vierten Generation basieren.

United SiC bringt eine Serie an 750-V-FETs auf dem Markt, die auf der eigenen SIC-FET-Technologieplattform der vierten Generation basieren. United SiC

Laut United SiC sind die Bauelemente derzeit die ersten erhältlichen 750-V-SiC-FETs. Von dem so erreichten Leistungsniveau profitieren unter anderem Stromversorgungsanwendungen in den Bereichen Automotive, industrielles Laden, Telekom-Gleichrichter, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) in Rechenzentren, DC/DC-Wandlung sowie erneuerbare Energien und Energiespeicherung.

Die neuen SiC-FETs sind als 18 und 60 mΩ-Option erhältlich und liefern gute FoMs mit einem reduzierten Durchlasswiderstand pro Fläche und geringer Eigenkapazität. In hart schaltenden Anwendungen weisen die Gen4-FETs den niedrigen RDS(on) x EOSS (mΩ-µJ) auf, was zu geringeren Ein- und Ausschaltverlusten führt. In Soft-Switching-Anwendungen sorgt der niedrige RDS(on) x Coss(tr) (mΩ-nF) für geringere Leitungsverluste und eine höhere Frequenz. Neben hoher Leistungsfähigkeit bieten die Bauelemente auch eine niedrige Durchlassspannung (UF) der integrierten Diode, was zu einer guten Sperrverzögerung, geringen Totzeitverlusten und einem höheren Wirkungsgrad führt.

750 V für SiC-FETs ermöglichen mehr Spielraum bei der Entwicklung

Durch die Erweiterung des Angebots von United SiC auf 750 V bieten die neuen SiC-FETs mehr Spielraum bei der Entwicklung und weniger Design-Einschränkungen. Die höhere UDS-Bewertung macht diese FETs auch für Anwendungen mit 400/500 V Busspannung vorteilhaft. Über einen weithin kompatiblen Gate-Treiber mit ±20 V, 5V Uth lassen sich die neuen Bauteile mit Gate-Spannungen von 0 bis +12 V betreiben. Sie können somit mit vorhandenen SiC-MOSFET-, Si-IGBTs- und Si-MOSFET-Gate-Treibern arbeiten.

Für die Zukunft plant weiter Produkte auf Basis ihrer FET-Plattform. „Wir werden in den nächsten 9 Monaten viele neue Gen4-Bauelemente ankündigen, die die Kosteneffizienz, die Wärmeeffizienz und den Entwicklungsspielraum weiter verbessern,“ erklärt Anup Bhalla, Vice President Engineering bei UnitedSiC. „Dies unterstützt alle Branchen, um die Herausforderungen bei ihrer Serienfertigung zu bewältigen und Neuerungen voranzutreiben.“

SiC bietet Entwicklern mehr Leistung, allerdings steht die Technologie noch am Anfang ihres Produktzyklus und bringt noch Nachteile mit sich. Mit stetigen Weiterentwicklungen lässt sie sich aber noch weiter optimieren.