Die AEC-Q200-qualifierte Hochstrominduktivität im 6767-Gehäuse mit 7 mm Bauhöhe ist eine platzsparende Lösung für Anwendungen im Motorraum. Das Bauteil ist für Energiespeicheranwendugnen in Gleichsspannungswandlern mit Schaltfrequenzen bis 2 MHz optimjiert. Darüber hinaus ermöglicht die Induktivität in Hochstrom-Filteranwendungen eine gute Unterdrückung von Störsignalen bis zu ihrer Eigenresonanzfrequenz. Kleine DRC-Werte von 0,89 mΩ bis 52,7 mΩ (typische Werte) klassifizieren das Bauelement als energieeffizient. Sie deckt den Werte bereich von 0,47 µH bis 47,0 µH ab und ist für Nennströme bis 75,0 A ausgelegt. Die Induktivität verkraftet hohe Spitzenströme, ohne in die Sättigung zu geraten. Das bleifreie, geschirmte Gehäuse aus Kompositmaterial reduziert aktustische Störgeräusche auf ein Minimum und zeichnet sich durch hohe Temperaturwechsel-, Feuchtigkeits- und Stoßfestigkeit aus.

Die IHLP-Hochstrominduktivität von Vishay deckt den Wertebereich von 0,47 µH bis 47,0 µH ab und verkraftet Stromspitzen, ohne in die Sättigung zu geraten.

Die IHLP-Hochstrominduktivität von Vishay deckt den Wertebereich von 0,47 µH bis 47,0 µH ab und verkraftet Stromspitzen, ohne in die Sättigung zu geraten. Vishay