Durch das L-TOGL-Gehäuse können die MOSFETs höhere Ströme handhaben, da die Wärme besser abführbar ist. (Bild: Toshiba)
Durch ihr L-TOGL-Gehäuse und der daraus resultierenden besseren Wärmeableitung können die neuen MOSFETs höhere Ströme handhaben. Sie verfügen über hohe Drain-Stromwerte (400 A für den XPQR3004PB und 200 A für den XPQ1R004PB) sowie niedrige Durchlasswiderstandswerte (0,3 mΩ für den XPQR3004PB und 1 mΩ für den XPQ1R004PB).
Die Source- und die externen Anschlüssen werden mit einem Kupferclip direkt miteinander verbunden. Eine Multi-Pin-Struktur für die Source-Leitungen reduziert den Gehäusewiderstand (und die damit verbundenen Verluste) um etwa 70 Prozent im Vergleich zum bestehenden TO-220SM(W)-Gehäuse. Der daraus resultierende Drain-Strom (ID) des XPQR3004PB ist um 60 % höher als der des TKR74F04PB, der im TO-220SM(W)-Gehäuse ausgeliefert wird. Darüber hinaus reduziert der dicke Kupferrahmen den Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse erheblich. Dieser beträgt 0,2 °C/W für den XPQR3004PB und 0,65 °C/W für den XPQ1R004PB. Dies erleichtert die Wärmeableitung, senkt die Betriebstemperaturen und erhöht die Zuverlässigkeit.
Der XPQR3004PB und der XPQ1R004PB sind für den Einsatz in anspruchsvollen Automotive-Anwendungen bei Temperaturen bis zu 175°C vorgesehen und sind beide AEC-Q101-qualifiziert. Ihre Gull-Wing-Anschlüsse reduzieren Belastungen bei der Montage und ermöglichen eine einfache visuelle Inspektion. Damit erhöht sich die Zuverlässigkeit der Lötstellen.
Beim Einsatz in Hochstromanwendungen im Automobilbereich, z. B. Halbleiterrelais oder integrierte Startergeneratoren (ISG), vereinfachen die MOSFETs das Design und sorgen für geringere Anzahl der erforderlichen MOSFETs. Damit lassen sich Größe, Gewicht und Kosten einsparen.
