Infineon und Panasonic entwickeln GaN-Leistungsbauelemente

Um den wachsenden Bedarf an Galliumnitrid-Leistungshalbleitern (GaN) zu decken, entwickeln und produzieren Infineon und Panasonic gemeinsam die zweite Generation (Gen2) 650-V-GaN-HEMTs auf 8-Zoll-Wafern, die sich unter anderem für Hoch- und Niedrigleistungs-SMPS-Anwendungen, erneuerbare Energien und Motorantriebsanwendungen eignen. Aufgrund des guten spezifischen, dynamischen Durchlasswiderstands und kleinerer Kapazitäten im Vergleich zu Silizium-MOSFETs eignen sich GaN-HEMTs für Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge.

Neben den gleichen Zuverlässigkeitsstandards wie für Gen1 profitieren Kunden der neuen Generation von einer einfacheren Steuerung des Transistors sowie einer besseren Kostenposition durch die Umstellung auf eine 8-Zoll-Waferfertigung. Wie die bereits gemeinsam entwickelten Gen1-Bauelemente Infineon CoolGaN und Panasonic X-GaN basiert auch die zweite Generation auf der selbstsperrenden GaN-on-Silicon-Transistorstruktur und bietet die robuste Hybrid-Drain-Embedded-Gate-Injection-Transistor-Struktur (HD-GIT). Die Markteinführung der 650- V-GaN-Gen2-Bauteile ist für das erste Halbjahr 2023 geplant.