Dr. Simon Sze verstarb am 6.11.2023. Sein bemerkenswertes Leben und seine Beiträge zur Welt der Elektronik und der Halbleiterbauelemente werden in Erinnerung bleiben und in Ehren gehalten werden. (Bild: San Francisco Chronicle)
Dr. Sze wurde in Shanghai, China, geboren und war von frühester Kindheit an von intellektueller Neugier und Leidenschaft für die Wissenschaft geprägt. Er erwarb einen B.S. in Elektrotechnik an der National Taiwan University, einen M.S. an der University of Washington und promovierte an der Stanford University, wo er wichtige Beiträge zum Verständnis des Elektronentransports in Halbleiterbauelementen leistete. Im Jahr 1967 entwickelte Dr. Sze zusammen mit Dawon Kahng den weltweit ersten nichtflüchtigen Speicher mit schwebendem Gate (floating-gate nonvolatile memory device), der zu den Schlüsselkomponenten von Konsumgütern gehört und einen der wichtigsten Durchbrüche in der Halbleitertechnologie darstellt.
Dr. Sze arbeitete unter anderem für die Bell Laboratories und die National Chiao Tung University in Taiwan. Seine bahnbrechenden Arbeiten deckten ein breites Spektrum von Gebieten ab, darunter die Entwicklung der MOSFET-Technologie, die Physik von Halbleiterbauelementen und die Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen. Er ist Autor mehrerer Bücher, darunter Physics of Semiconductor Devices, das zu einem unverzichtbaren Nachschlagewerk auf diesem Gebiet geworden ist und Generationen von Ingenieuren und Wissenschaftlern ausgebildet hat. Für seine herausragenden Lehr- und Forschungsleistungen erhielt er zahlreiche Auszeichnungen, darunter den Future Science Prize im Jahr 2021 und den IEEE EDS J.J. Ebers Award im Jahr 1991 in Anerkennung seines lebenslangen Beitrags zum Fachgebiet.
