650-V-TRENCHSTOP-5-WR6-Familie

Die Bauteile von Infineon bieten niedrige Leitungsverluste (30 A, 1,45 V bei 25 °C) sowie geringe Schaltverluste (30 A, 1,55 mJ bei 175 °C). (Bild: Infineon)

Infineon erweitert sein Produktangebot um die 650-V-Trenchstop-5-WR6-Familie im diskreten Gehäuse. Die Familie wird in einem TO-247-3-HCC geliefert und bietet ein breites Portfolio mit einem wählbaren Nennstrom von 20 A, 30 A, 40 A, 50 A, 60 A oder 70 A. Die Bauteile lassen sich als Ersatz für bisherige Technologien wie dem TRENCHSTOP 5 WR5 und dem HighSpeed 3 H3 von Infineon. Die Trenchstop-5-WR6-Produkte bieten niedrige Leitungsverluste (30 A, 1,45 V bei 25 °C) sowie geringste Schaltverluste (30 A, 1,55 mJ bei 175 °C). Zudem weisen sie eine Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 1,45 V und verfügen über eine monolithisch integrierte Diode mit einer für die Zielanwendungen optimierten Diodenvorwärtsspannung. Das verwendete TO-247-3-HCC-Gehäuse der WR6-Familie erhöht die Kriech- und Luftstrecken und verbessert damit die Nennisolationsspannung. Damit ermöglicht die Produktfamilie zuverlässigere Systemdesigns, die resistent sind gegen Verschmutzung und Kondensation. Darüber hinaus reduziert der Trenchstop-5-WR6 die Gesamtbetriebskosten durch eine geringere Ausfallrate, während dieser gleichzeitig Anwendungen mit höherer Schaltfrequenz ermöglicht.

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