Zuverlässigkeit von GaN-Hochspannungs-Schalttransistoren

Halbleiterhersteller müssen geometrisch kritische Halbleiterbereiche genau kennen und optimieren, um Durchschläge bei hohen Spannungen ausschließen zu können. Transphorm

Vom Halbleiterhersteller erfordert das ein sehr gutes Verständnis grundlegender Fehlermodi, Beschleunigungsfaktoren und Zuverlässigkeitsstatistiken. In einem Whitepaper zeigt Transphorm, wie die hauseigenen GaN-Produkte diese Herausforderung meistern können, insbesondere im HVOS-Zuverlässigkeits-Stresstest (High Voltage Off State). Von besonderem Interesse ist die erwartete Ausfallrate während der ersten 10 bis 20 Jahre der Verwendung eines Produkts, da sie sich direkt auf die Garantiekosten auswirkt. Transphorm erörtert Methoden zur Erfassung der GaN-Zuverlässigkeit an großen Proben, basierend auf Anforderungen aus Industrie- und Automobilstandards.

(jwa)