Am X-Fab-Standort in Erfurt entsteht eine neuartige Fertigungsplattform für smarte integrierte sensorische Systeme. (Bild: X-Fab)
Die X-Fab-Gruppe wird im Rahmen des IPCEI-ME/CT-Projekts Fördermittel in Höhe von insgesamt bis zu 80 Mio. Euro über einen Zeitraum von fünf Jahren erhalten. Diese Mittel kommen von den beteiligten Regierungen Frankreichs und Deutschlands.
Von der Förderung profitieren drei Standorte des Unternehmens, jeweils mit unterschiedlichem technologischen Fokus. Der Standort Corbeil-Essonnes in Frankreich ist auf intelligente Sensoren und Treiber, neue Architekturen, Photonik und HF-Technologien spezialisiert. Dort begann kürzlich die Serienfertigung auf 200-mm-Wafern in 110 nm BCD-on-SOI-Technologie, entwickelt im Rahmen des Vorgängerprogramms IPCEI ME. Der Standort Erfurt in Deutschland entwickelt eine neuartige Fertigungsplattform für smarte integrierte sensorische Systeme und in Itzehoe schließlich wird sich X-Fab auf die Entwicklung und Umsetzung neuer Verfahren zur Bearbeitung von Glaswafern konzentrieren.
Das IPCEI-ME/CT-Programm unterstützt Innovationen in den Bereichen Mikroelektronik und Kommunikationstechnik, die europäische Ziele in der Digitalisierung, Nachhaltigkeit und technologischen Souveränität fördern. Die Initiative zielt darauf ab, den sich verändernden Anforderungen der Automobilindustrie sowie in der Medizin- und Industrietechnik gerecht zu werden und den Bedarf an verbesserter Datenanbindung, intelligenten Sensoren und energieeffizienten Lösungen zu decken. Dabei unterstützt die Förderung neue Technologien für Anwendungen wie intelligentes Batteriemanagement, medizinische Sensoren, Lichtsensoren (wie Lidar und OLED), 6G-Kommunikationstechnik, 5G mmWave, intelligente Sensorsysteme und mikrofluidische Lösungen für biotechnologische Anwendungen.
