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Kombination für EVs mit zwei Wechselrichtern

Gate-Treiber für IGBT- und SiC-MOSFETs im E-Auto

Gerade bei Neuentwicklungen dominiert zunehmend die SiC-MOSFET-Technologie. Im Vergleich zum IGBT bringt sie bei 800 V Effizienzvorteile von mehr als zehn Prozent im Vergleich zum WLTP-Fahrzyklus. Aber auch bei IGBTs gibt es Weiterentwicklungen.

Kevin Lenz, Vikneswaran Thayumanasamy und Christian Felgemacher

7. September 2022