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Neuer Name und Lieferantenvereinbarung mit GM

Aus Cree wird Wolfspeed

Mit der Änderung des Firmennamens in Wolfspeed schließt Cree eine vierjährige Unternehmenstransformation ab und konzentriert sich damit voll und ganz auf Siliziumkarbid-Technologie und -Produktion. Zudem wurde eine neue Lieferantenvereinbarung verkündet.

Jessica Mouchegh

25. October 2021

Elektromobilität

ABB und Cree kooperieren bei Siliziumkarbid-Anwendungen

Die Halbleiter auf Siliziumkarbidbasis von Cree werden in das Portfolio von ABB integriert. Auf diese Weise will der Stromnetzbereich seinen Einstieg in den Elektrombilitätssektor beschleunigen.

Gunnar Knuepffer

18. November 2019

Elektromobilitäts-Offensive

Cree liefert Siliziumkarbid für Volkswagen

Volkswagen wählte Cree als exklusiven Siliziumkarbid-Partner für die Initiative Future Automotive Supply Tracks aus. Die Partner werden mit Tier-1-Lieferanten und Herstellern von Power-Modulen zusammenarbeiten, um Lösungen für künftige Fahrzeuge zu entwickeln.

Gunnar Knuepffer

14. May 2019

Langfristiger, strategischer Liefervertrag

Cree liefert SiC-Wafer an Infineon

Die Vereinbarung zwischen Infineon und Cree sieht die Lieferung von 150-mm-SiC-Wafern vor. Damit will Infineon seine Aktivitäten in diversen Marktsegmenten wie etwa der Elektromobilität oder der Robotik ausbauen.

Martin Probst

26. February 2018

Schottky-Dioden

SiC-Schottky-Dioden im Stresstest

Die dV/dt-Festigkeit ist eine zentrale Kenngröße von Schottky-Dioden auf Basis von Siliziumkarbid (SiC). Um diesen Wert zu überprüfen, sind besonders leistungsstarke Impulsgeber erforderlich, welche die Dioden bis zur Leistungsgrenze belasten. Impulsgeber mit Schaltgeschwindigkeiten von mehreren hundert Volt pro Nanosekunde lassen sich mithilfe von Lawinen-Transistoren und C2M-MOSFETs von Cree entwickeln.

Dieter Liesabeths

25. November 2015

MOSFETs: Siliziumkarbid löst Silizium ab

In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten

In der Leistungselektronik zeichnet sich ein Trend in Richtung Siliziumkarbid (SiC) ab. Für SiC-MOSFETs sprechen im Vergleich zu Bausteinen auf Basis von Silizium die niedrigen Leitungs- und Schaltverluste sowie die kompaktere Form. Zudem machen die sinkenden Preise SiC-Leistungshalbleiter für Entwickler interessant.

Dieter Liesabeths

7. May 2015

Design-in for Manufacturability

Fehler bei der Pick-and-place-Bestückung von LEDs finden und beseitigen

Treten bei der SMD-Bestückung Fehler bei LEDs auf, dann ist eine zielgerichtete Analyse gefragt. Cree erklärt im folgenden Fachbeitrag, wie man hier systematisch anhand einer Fehlerbehebungspyramide vorgeht.

Dipl.-Ing. Kai Klimkiewicz

17. March 2015

Siliziumkarbid

Optokoppler für SiC-MOSFET-Gate-Treiber

Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid setzen sich immer mehr durch: Sie können die Gesamtsystemleistung um mehr als 10 % verbessern und die höhere Schaltgeschwindigkeit reduziert Systemgröße und -kosten. Entwickler müssen aber auch die umgebende Schaltung bedenken, bis hin zu den Optokopplern am Gate-Treiber.

Chun Keong Tee, Robinson Law

2. September 2014

Die richtige Verbindung finden

Lötstellen zwischen LED-Gehäuse und Leiterplatte überprüfen

Wie zuverlässig ein LED-Beleuchtungssystem funktioniert, hängt entscheidend von der Qualität der Lötstellen zwischen dem Gehäuse der Leuchtdiode und der Leiterplatte ab. Ein Verfahren, mit dem sich die Güte der Lötverbindungen ermitteln lässt, ist die Thermoschockprüfung. Sie ermöglicht es Entwicklern, bereits im Vorfeld mögliche Fehlerursachen zu erkennen und auszuschalten.

Mitch Sayers

27. March 2014

Risse und Beschädigungen

Ursache von Brüchen bei Keramiksubstraten von LEDs

Beim Bestücken der Leiterplatten mit LEDs, treten in manchen Fällen im Keramiksubtrat der Leuchtdioden Risse auf. Der Grund sind die Biegungen oder Verformungen des PCBs beim Bestückungsvorgang. Solche Brüche können zum Ausfall von LEDs und entsprechenden Leuchten führen. Allerdings lässt sich dieses Risiko mithilfe einiger Vorkehrungen minimieren.

Mitch Sayers

27. August 2013

XLamp MK-R mit hoher Lichtausbeute bei gutem Preis-Leistungs-Verhältnis

LED mit 200 Lumen pro Watt

Cree präsentiert die XLamp MK-R; sie gilt als die erste LED mit einer Lichtausbeute von 200 lm/W bei 1 Watt und einer Betriebstemperatur von 25 °C.

Redaktion

28. January 2013

Advantage LED-System-Level-Design

Eine Erfolgsgeschichte im Bereich Solid State Lighting

Dieser Beitrag schärft in der Design-Community das Bewusstsein für System-Level-Designs in Solid State Lighting-Applikationen. Spezifikationen, Kosten und Performance gehen allesamt als Variablen in ein erfolgreiches Design ein und müssen systemorientiert berücksichtigt werden.

Matt Reynolds

2. May 2012

Effiziente indirekte Beleuchtungssysteme

X-Lamp-LEDs ersetzen Leuchtstoffröhren

Leuchtstoffröhren kommen in vielen Innenbeleuchtungen, wie Deckeneinbauleuchten, zum Einsatz. Im Vergleich zur herkömmlichen Glühbirne erzeugen sie viel mehr Licht und sparen bis zu 80 Prozent an Energie. Noch effizienter sind allerdings kompakte LED-Arrays.

Kai Klimkiewicz

11. July 2011

Lichtstrom und Lebensdauer erhöhen

XLamp MX6-LEDs von Cree

Cree hat seine XLamp MX6 Leuchtdioden verbessert: Die Komponenten sollen nach Herstelleraussagen im Vergleich zu Vorgängerprodukten mit höheren Lichtstrom-Werten, einer längeren Lebensdauer und erweiterten Color-Rendering-Index-Optionen überzeugen.

Redaktion

9. February 2011