Langfristiger, strategischer Liefervertrag

Cree liefert SiC-Wafer an Infineon

Martin Probst Martin Probst
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Siliziumkarbid-basierte (SiC) Halbleiter eignen sich für den Einsatz im Bereich der Leistungsumwandlung sowie in Elektrofahrzeugen.
Siliziumkarbid-basierte Halbleiter eignen sich für den Einsatz im Bereich der Leistungsumwandlung sowie in Elektrofahrzeugen.

Die Vereinbarung zwischen Infineon und Cree sieht die Lieferung von 150-mm-SiC-Wafern vor. Damit will Infineon seine Aktivitäten in diversen Marktsegmenten wie etwa der Elektromobilität oder der Robotik ausbauen.

Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon schloss mit dem amerikanischen Technologieunternehmen Cree einen Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer. Im Rahmen der langfristig geschlossenen Vereinbarung liefert Cree SiC-Wafer mit einem Durchmesser von 150 mm, passend für die Fertigungslinien von Infineon. Damit kann Infineon sein Angebot an Siliziumkarbid-basierten Produkten weiter ausbauen, um Märkte wie etwa Photovoltaik-Wechselrichter oder Elektromobilität zu adressieren.

SiC-basierte Halbleiter können den Wirkungsgrad in Power-Elementen von Industrieantrieben, Elektrofahrzeugen etc. beachtlich erhöhen. Der Bedarf stieg in den letzten Jahren kontinuierlich an. Verglichen mit siliziumbasierten Leistungshalbleitern lässt sich durch SiC-Bauelemente Energie einsparen. Zudem ermöglicht die geringere Größe der passiven Komponenten eine erhöhte Systemdichte. Produkte auf Siliziumkarbid-Basis kommen in den nächsten Jahren verstärkt in Anwendungsgebieten wie Robotik, Ladeinfrastruktur sowie in industriellen Stromversorgungen zum Einsatz.

(prm)

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