Tag: siliziumkarbid

Welche Materialien erforscht die Elektronik – und welche nicht?

Die Entwicklung funktionaler Materialien ist zentral für die Elektronikindustrie. Doch zwischen Grundlagenforschung und industrieller Umsetzung verlaufen komplexe Prozesse – nicht jede Innovation erreicht die Fertigungslinie oder die Serienreife.

Top 10: Die größten Automotive-Halbleiterunternehmen

Die Nachfrage nach Halbleitern für Elektrofahrzeuge, Fahrerassistenz und vernetzte Systeme treibt 2024 den Automotive-Markt. Zehn Hersteller sichern sich zentrale Positionen – durch technologische Spezialisierung und globale Fertigungsstrategien.

Trends und Technologien der Leistungselektronik

Update: Wolfspeed startet Sanierung per Chapter 11

Wolfspeed startet ein Chapter-11-Verfahren zur finanziellen Neuaufstellung. Ziel ist der Abbau von 4,6 Mrd. Dollar Schulden – bei laufendem Betrieb und klarer Wachstumsstrategie im SiC-Halbleitermarkt.

Wie MPS-SiC-Dioden Verluste in Hochfrequenz-Schaltnetzteilen verringern

Hochfrequenz-Schaltkreise, wie z. B. solche zur Leistungsfaktorkorrektur (PFC) im Dauerleitungsbetrieb (CCM) erfordern Dioden mit geringen Schaltverlusten. Warum Dioden auf Siliziumkarbid-Basis hier die richtige Wahl sind.

Wolfspeed ernennt Robert Feurle zum CEO

Wolfspeed stellt die Weichen neu: Mit dem erfahrenen Halbleiterstrategen Robert Feurle an der Spitze will der SiC-Spezialist operative Prozesse stärken, Wachstum ankurbeln und die Rentabilität nachhaltig verbessern.

50 Jahre Syko: Entwicklung zum Power-Systemkomponenten-Haus

Hochvolt-Systeme jenseits der 1000 V sind der Schlüssel für leistungsstarke Bahn-, Batterie- und Offshore-Technik. Syko entwickelt seit 50 Jahren effiziente Kaskaden-Wandler, die selbst extreme Spannungen sicher und normgerecht beherrschen.

Hybrid-Sinter-Pasten für das Chip-Bonden selbst auf Kupfer

Leistungselektronik aus SiC oder GaN stellt extreme Anforderungen an die Verbindung zwischen Halbleiter und Träger. Hybrid-Sinter-Pasten mit hoher thermischer Leitfähigkeit und verbesserten mechanischen Eigenschaften ermöglichen anspruchsvolle Anwendungen.

Rohm und Valeo kooperieren bei SiC-Wechselrichtern

Mit der nächsten Generation der Leistungselektronik wollen Valeo und Rohm Semiconductor neue Industriestandards für Hochspannungs-Wechselrichter setzen und den Übergang zu einer effizienten und erschwinglichen Elektromobilität beschleunigen.

Infineon weiht 200-Millimeter-SiC-Fabrik in Malaysia ein

In Kulim/Malaysia hat Infineon die erste Phase seiner neuen Siliziumkarbid-Fertigung (SiC) eingeweiht. Die Fabrik ist derzeit die weltweit größte 200-Millimeter-Fab für SiC-Leistungshalbleiter. Sie wird mit 100 Prozent Ökostrom betrieben.

SiC: Onsemi wird Hauptlieferant von Volkswagen

Onsemi hat sich bei einem Großauftrag durchgesetzt und wird VW mit Halbleitern für die neue Einheitsplattform Scalable Systems Platform beliefern, die in allen Fahrzeugsegmenten des Konzerns zum Einsatz kommen soll.

Neubau von SiCrystal erweitert SiC-Wafer-Produktion

Mit einem Neubau schafft SiCrystal 6.000 Quadratmeter zusätzliche Produktionsfläche für SiC-Substrate. Nach Abschluss der Bauarbeiten soll sich die Gesamtproduktionskapazität damit verdreifachen.

SiC: Onsemi investiert bis zu 2 Milliarden US-Dollar

Mit einer der größten privatwirtschaftlichen Investitionen in der Geschichte des Landes plant Onsemi die Errichtung eines Siliziumkarbid-Fertigungsstandort in Tschechien.

Dialog wichtiger denn je: Interview mit Michael Anfang, ST

Halbleiterunternehmen finden bei Trends einen zunehmend heterogenen Markt und die diffizile Aufgabe, das richtige Produkt zur rechten Zeit anzubieten. Entscheidend für den Erfolg ist die intensive Kommunikation entlang der Wertschöpfungskette.

Dauerlastfähige Wechselrichter für elektrische Antriebe

Im Projekt Dauerpower entwickeln Partner aus der Automobilindustrie einen elektrischen Wechselrichter mit Siliziumkarbid-Bauteilen, der bis zu 30 Prozent mehr Leistung als siliziumbasierende Lösungen verspricht.

Zukunft der Leistungselektronik durch neue Materialien

Welche Rolle spielen neue Materialien bei der Steigerung der Effizienz und Zuverlässigkeit in der Leistungselektronik?

„Unser Serviceteam ist so vielfältig wie unsere Produktpalette“

Im Interview spricht Dr. Prasad Bhalerao, Director Industrial Sales bei ROHM Semiconductor Europe, über den besonderen Spirit seines vielfältigen Teams.

Infineon und Wolfspeed erweitern Liefervereinbarung

Durch die Verlängerung des Lieferabkommens mit Wolfspeed sichert Infineon langfristig die Versorgung mit Siliziumkarbid (SiC)-Wafern.

11 Mythen über Siliziumkarbid (SiC) und was dahinter steckt

Siliziumkarbid (SiC) steht eine goldene Zukunft bevor. Dabei gibt es viele Mythen, die dem Wide-Bandgap-Halbleiter einige Fähigkeiten absprechen. Aber wie sind diese zu beurteilen?

SiC: Infineon stärkt Multi-Sourcing-Strategie

Durch ein neues Lieferabkommen mit SK Siltron CSS für Siliziumkarbid-Wafer sichert Infineon die Resilienz der Lieferkette. Es ist nicht das erste seiner Art.

Wie Klimaanlagen und Wärmepumpen von SiC profitieren

Heiz- und Kühlsysteme (HLK) können von einer Umstellung auf Siliziumkarbid-Bauelemente wie SiC-Dioden und SiC-MOSFETs profitieren, vor allem was den Wirkungsgrad angeht. Dafür sind aber auch neue Topologien notwendig.

Nexperia kooperiert mit Kyocera bei SiC-Gleichrichtermodul

Die Markteinführung eines gemeinsam entwickelten SiC-Gleichrichtermoduls ist der erste Schritt in einer langfristig angelegten Partnerschaft zwischen Nexperia und Kyocera AVX. Das Modul ist für Hochfrequenz-Leistungsanwendungen vorgesehen.

Der Trend zu SiC in der Elektrifizierung

Eigenschaften von SiC wie hohe Spannungen und Ströme und ein hoher Wirkungsgrad helfen, die Reichweite und Ladegeschwindigkeit bei E-Fahrzeugen zu steigern. Von E-Fuses bis zur schnellen DC-Ladeinfrastruktur profitieren einige Anwendungen davon.

SiC sei Dank: mehr Leistung, Effizienz und Nachhaltigkeit!

Der Markt für Siliziumkarbid (SiC) wächst stetig und mit ihm die Spezifikationen der Kunden, was Qualität, Größe und Lieferfähigkeit angeht. Die ROHM-Gruppe setzt auf die Herstellung in Europa.

Vitesco entwickelt Leistungsmodul für Elektroautos

Leistungsmodule von Vitesco kombinieren Siliziumkarbid-Chiptechnologie mit Umspritzung und ermöglichen so ein robustes Produkt. Die Module steuern die Antriebsenergie und Energierückgewinnung bei Hochvolt-Elektrofahrzeugen.

„Die (Halbleiter)-Krise hat beide Seiten zusammengeführt.“

Wie steht es um die Allokation bei Halbleitern? Was tut sich bei Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN)? Welche Bedeutung hat der technische Support bei Leistungshalbleitern? Antworten gibt Wolfram Harnack, Präsident bei Rohm Semiconductor Europe.

Infineon baut die weltweit größte 200-Millimeter Fab in Kulim

Milliardenschwere Investitionen in Siliziumkarbid (SiC): Infineon erweitert den Standort in Malaysia und baut eine Fertigung speziell für SiC-Leistungshalbleiter. Die Fab ist nicht das einzige Projekt in diese Richtung.

Onsemi und Magna investieren in Siliziumkarbid-Fertigung

Magna integriert SiC-Leistungselektronik von onsemi in die eigenen Traktionswechselrichter für Elektrofahrzeuge. Außerdem investiert der Automotive-Zulieferer 40 Mio. US-Dollar in neue SiC-Anlagen für onsemi-Einrichtungen.

Siliziumkarbid mit einem Gesamtwert von über 1 Milliarde Dollar

BorgWarner integriert die Leistungsbauelemente EliteSiC 1200V und 750V von onsemi in die eigenen Viper-Leistungsmodule, um die Leistungsfähigkeit und Reichweite von Elektrofahrzeugen zu erhöhen.

Renesas schließt zehnjährigen Liefervertrag für SiC mit Wolfspeed

Renesas hat heute den Abschluss eines zehnjährigen Liefervertrages für Siliziumkarbid-Wafer (Bare und Epitaxial) mit Wolfspeed bekanntgegeben. Dafür hat Renesas eine Anzahlung von 2 Milliarden US-Dollar geleistet.

Vitesco und Rohm unterzeichnen langfristige SiC-Lieferpartnerschaft

Durch eine Partnerschaft mit Rohm sichert sich Vitesco langfristig Kapazitäten für Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC). Das erwartete Gesamtprojektvolumen: über eine Milliarde US-Dollar im Zeitraum 2024 bis 2030.

Simulatoren helfen bei der Auswahl von SiC-Bauelementen

Simulatoren für Leistungselektronik-Systeme basierend auf Siliziumkarbid-Bauelementen helfen Entwicklern bei der Auswahl der geeigneten Komponenten für ihr Design. So können sie von in der frühen Entwicklungsphase an Worst-Case-Szenarien untersuchen.

Infineon und Foxconn entwickeln gemeinsam EV-Lösungen

Ziel der Partnerschaft von Infineon und Foxconn sind wettbewerbsfähige Lösungen für die Elektromobilität. Im Fokus stehen Entwicklungen mit Siliziumkarbid für Anwendungen wie Traktionswechselrichter, Onboard-Ladegeräte oder DC-DC-Wandler.

ST liefert Siliziumkarbid-Halbleiter an ZF

Um Aufträge im Bereich Elektromobilität langfristig abzusichern, hat ZF mit ST einen Vertrag über die Lieferung von Siliziumkarbid-Modulen geschlossen. Die Module werden in die 2025 in Serie gehende Wechselrichter-Plattform von ZF integriert. Es ist nicht der erste Deal dieser Art.

Teslas Pläne mit Seltenen Erden und SiC – gegen den Trend

Elon Musk kündigte auf dem Tesla-Investorentag im März 2023 an, dass die nächste Generation von Elektromotoren keine Seltenen Erden mehr enthalten und der Anteil an Siliziumkarbid (SiC)-Chips sinken werde. Wie ist das möglich?

SiC: Onsemi und VW entwickeln Wechselrichterlösung für EVs

Onsemi und der Volkswagen-Konzern vertiefen die strategische Zusammenarbeit bezüglich Siliziumkarbid (SiC) für die nächste Generation elektrifizierter Fahrzeuge. Die Unternehmen arbeiten an einer Komplettlösung für Traktionswechselrichter.

ST und Soitec kooperieren bei SmartCut für 200-mm-SiC-Substrate

STMicroelectronics (ST) und Soitec haben eine Vereinbarung getroffen, die SiC-Substrattechnologie von Soitec über die nächsten 18 Monate durch ST zu qualifizieren. Zu der SmartSiC-Technologie von Soitec gehört auch das SmartCut-Verfahren.

SiC: Auch BorgWarner investiert in Wolfspeed

Nach Jaguar sichert sich auch BorgWarner Siliziumkarbid-Halbleiter von Wolfspeed. Für 500 Millionen US-Dollar ist BorgWarner berechtigt, „jährlich Bauelemente im Wert von bis zu 650 Millionen US-Dollar abzunehmen“.

Infineon reserviert Siliziumkarbid-Halbleiter für Stellantis

Mit einer Absichtserklärung über die Lieferung von Siliziumkarbid-Halbleitern für Elektrofahrzeuge bereiten sich Infineon und Stellantis auf die steigende Nachfrage der Branche vor. Das Beschaffungsvolumen hat einen Wert von mehr als 1 Mrd. Euro.

Das sind die Vorteile einer Direktansteuerung von SiC-JFETs

Die Direktansteuerung reduziert den Einschaltwiderstand eines SiC-JFETs um mehr als 16 Prozent. Ihr niedriger Durchlasswiderstand pro Flächeneinheit (RDS∙A) und ihr schnelles Schalten können gut mit mechanischen Relais und IGBTs mithalten.

Höherer Wirkungsgrad und mehr Reichweite für E-Autos mit SiC

Bei der Umstellung auf den Antrieb mit elektrischer Energie kann die Verwendung von SiC-MOSFETs in Traktionswechselrichtern dazu beitragen, die Kluft zwischen den Erwartungen an die Reichweite und Preis von E-Autos verringern.

Leistungselektronik: Semikron und Danfoss bündeln Kräfte

Semikron und Danfoss fusionieren unter dem Namen Semikron-Danfoss zu einem weltweit aktiven Leistungselektronikunternehmen. Kerngeschäft des neuen Unternehmen sind industrielle Powermodule und integrierte Leistungselektronik mit Fokus auf die Automobilindustrie.

Mehr Chips: Bosch erweitert Halbleiterfertigung in Reutlingen

In der Bewältigung des weltweit anhaltenden Halbleitermangels schaltet Bosch einen Gang höher: mehr als eine Viertelmilliarde Euro sollen bis 2025 in den weiteren Ausbau der Halbleiterfertigung in Reutlingen fließen.

Infineon investiert mehr als zwei Milliarden in neue Fertigung

Mehr als zwei Milliarden Euro investiert Infineon in ein drittes Fertigungsmodul am Standort Kulim in Malaysia. Bei voller Auslastung soll es zwei Milliarden Euro weiteren Jahresumsatz mit Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Produkten ermöglichen.

Qorvo übernimmt UnitedSiC

Mit der Übernahme von UnitedSiC erweitert Qorvo die Reichweite in die Märkte für Elektrofahrzeuge, Industriestrom, Stromkreisschutz, erneuerbare Energien und Energieversorgung für Rechenzentren.

Aus Cree wird Wolfspeed

Mit der Änderung des Firmennamens in Wolfspeed schließt Cree eine vierjährige Unternehmenstransformation ab und konzentriert sich damit voll und ganz auf Siliziumkarbid-Technologie und -Produktion. Zudem wurde eine neue Lieferantenvereinbarung verkündet.

Warum SiC gegenüber Si so viele Vorteile hat

SiC-MOSFETs bieten nicht nur größere Freiheitsgrade beim Design. Auch handfeste ökonomische Gründe sprechen für den Einsatz von Siliziumkarbid. Das spart Kosten.

STMicroelectronics stellt erste 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer her

STMicroelectronics hat in seinem Werk in Norrköping (Schweden) die Produktion der ersten SiC-Wafer mit einem Substratdurchmesser von 200 mm bekanntgegeben. Diese sollen für das Prototyping einer neuen Generation von Leistungselektronik-Bauelementen dienen.

Siliziumkarbid (SiC) und Silizium (Si) mit derselben Gate-Treiber-Serie ansteuern: Sicherheit und Effizienz auf Systemebene

Die neuesten Trends in der Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge und industrielle Anwendungen erfordern nicht nur den Betrieb mit kontinuierlich höheren Spannungen und Wirkungsgraden, sondern auch mehr Sicherheit für die verwendeten Komponenten. Diese Trends öffnen die Tür für Widebandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid-MOSFETs.

So verbessert Silbersintern die Wärmeleitfähigkeit in Leistungshalbleitern

Besonders was die entstehende Wärme betrifft gibt es in der Leistungselektronik Grenzen, deren Überschreitung auf Kosten der Zuverlässigkeit geht. Auf Chipebene kann hier das Silbersintern helfen.

Robust und zuverlässig: SiC setzt sich in Automobilanwendungen durch

Größere Schaltleistungen, höhere Spannungen, wenig Platzbedarf, geringes Gewicht, hoher Wirkungsgrad: E-Autos stellen hohe Anforderungen an die Leistungselektronik. Kein Wunder also, dass sich Komponenten auf SiC-Basis immer stärker durchsetzen.

DC-Ladestation für die Garage: Schnelles Laden auf SiC-Basis

DC-Schnellladestationen sind hauptsächlich im öffentlichen Raum zu finden. Mit der DC-Wallbox gibt es nun eine leistungsstarke Lademöglichkeit für Zuhause, deren Effizienz durch die Verwendung von SiC-Halbleitern gesteigert wird.

Christian André, Rohm: SiC löst viele Probleme

Der Bauelementehersteller Rohm hat sich vom Anbieter von Widerständen zu einem großen Halbleiterhersteller entwickelt, der auch passive Bauelemente fertigt. Jetzt steht mit dem stärkeren Fokus auf Leistungselektronik eine weitere Veränderung an. AUTOMOBIL-ELEKTRONIK hat sich bei Christian André, Chairman von Rohm Semiconductor Europe, nach den Details auch jenseits der E-Mobilität erkundigt.

Wie Siliziumkarbid der Elektromobilität den Weg ebnet

Die Nachfrage nach Elektroautos ist riesig. Aber die Technologieentwicklung steht vor großen Herausforderungen. Effizientere Antriebsstränge mit Siliziumkarbid-Halbleitern sind ein Weg zu weiteren Fortschritten.

Mit Siliziumkarbid: Innolectric bringt 22-kW-On-Board-Charger in Serie

Innolectric hat die Entwicklung seines 22-kW-On-Board-Chargers mit Siliziumkarbid-Technologie abgeschlossen, sodass ab dem zweiten Quartal 2020 die Serienauslieferung beginnen kann.

Für 120 Millionen Dollar: Si Crystal liefert SiC-Wafer an ST

Si Crystal, ein Tochterunternehmen der Rohm Group, hat ein mehrjähriges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Wafer mit ST Microelectronics vereinbart. Die Partner wollen zu einer weiteren Verbreitung von SiC in der Industrie und in der Automobilbranche beitragen.

Das sind die Einsatzgebiete von Cool-SiC-MOSFETs

Viele Anwender bringen Cool-SiC-MOSFETs tendenziell mit hohen Schaltfrequenzen in Verbindung. Tatsächlich ist die Palette möglicher Einsatzgebiete für die Technologie jedoch viel breiter.

ABB und Cree kooperieren bei Siliziumkarbid-Anwendungen

Die Halbleiter auf Siliziumkarbidbasis von Cree werden in das Portfolio von ABB integriert. Auf diese Weise will der Stromnetzbereich seinen Einstieg in den Elektrombilitätssektor beschleunigen.

Cool-SiC-MOSFETs: Ist parasitäres Einschalten ein Schwachpunkt?

Das von der Miller-Kapazität verursachte parasitäre Einschalten wird oftmals als Schwachpunkt heutiger Siliziumkarbid-MOSFETs angesehen. Ist das auch für Cool-SiC-MOSFETs der Fall?

Cree liefert Siliziumkarbid für Volkswagen

Volkswagen wählte Cree als exklusiven Siliziumkarbid-Partner für die Initiative Future Automotive Supply Tracks aus. Die Partner werden mit Tier-1-Lieferanten und Herstellern von Power-Modulen zusammenarbeiten, um Lösungen für künftige Fahrzeuge zu entwickeln.

So entwickeln Sie Schaltnetzteile für extreme Umgebungen

Die Anforderungen an Stromversorgungen in rauen Umgebungen sind hoch. Grundvoraussetzung für ihre Entwicklung sind die besten Materialien, Technologien und Topologien. Der Beitrag zeigt, wo Leistungsverluste schaltender Stromversorgungen auftreten und erläutert Verbesserungen.

E-Fahrzeuge: Diese Leistungsbausteine machen das Laden effizienter

Probleme beim Laden schränken das Aufkommen von Elektrofahrzeugen ein. Für die Realisierung von effizienten DC-Schnell-Ladesystemen mit großer Leistungsdichte hat Infineon integrierte Powermodule und Controller-Bausteine entwickelt.

Infineon kauft Siliziumkarbid-Spezialisten Silectra

Für 124 Millionen Euro kauft Infineon das Dresdner Start-up Silectra vom Investor MIG Fonds. Es hat das Cold-Split-Verfahren zum Bearbeiten von Kristallen entwickelt, die Infineon zum Splitten von Siliziumkarbid (SiC)-Wafern nutzen möchte.

Mit PIN-Schottky-Hybrid-Dioden SiC-Parameter erreichen

Wide-Band-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid können die Leistungselektronik effizienter gestalten, sie sind aktuell jedoch noch teurer als die weitverbreiteten Siliziumbauteile. Wenn es um die Optimierung von Gleichrichtern und die Korrektur des Leistungsfaktors (PFC) in Stromversorgungen geht, sind Q-Speed-Dioden als Hybrid aus PIN- und Schottky-Diode eine kostengünstige Alternative.

Cree liefert SiC-Wafer an Infineon

Die Vereinbarung zwischen Infineon und Cree sieht die Lieferung von 150-mm-SiC-Wafern vor. Damit will Infineon seine Aktivitäten in diversen Marktsegmenten wie etwa der Elektromobilität oder der Robotik ausbauen.

SiC für die Automobilelektronik

Elektro-/Hybrid-Fahrzeuge sind vollgepackt mit Leistungselektronik – bisher in der Regel auf Silizium-Basis. Dort wo Silizium an seine Grenzen kommt, bietet sich Siliziumkarbid (SiC) als leistungsfähige Alternative an. Einschränkungen bezüglich Zuverlässigkeit und Kosteneffizienz sind nun weitgehend überwunden: Die SiC-Technik ist reif für den Einsatz im Auto.

SiC-Halbleiter für kompakte effiziente Elektroantriebe und Ladesysteme

Bei Elektrofahrzeugen sind hohe Leistung und Effizienz wie auch geringes Gewicht und akzeptable Kosten gefordert. Welchen Beitrag Leistungshalbleiter und -Module auf Basis von Siliziumkarbid hier leisten können, erläutert der Halbleiterhersteller Wolfspeed anhand mehrerer Leistungselektronikanwendungen.

Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) auf der Überholspur

Die Anforderungen an Elektronik wachsen, sodass Halbleiter mit höherer Leistungsdichte und Effizienz gefragt sind. SiC-Halbleiter (Siliziumkarbid) setzen bezüglich Schaltspannung und -geschwindigkeit, Schaltverluste und Baugröße neue Maßstäbe.

Die Bedeutung der Leistungsdichte in der modernen Leistungselektronik

Eine der in der Leistungselektronik wichtigen Kennzahlen ist die Leistungsdichte. Die auf das Volumen bezogene Angabe in Kilowatt pro Liter verrät, wie viel Bauraum eine leistungselektronische Komponente benötigt, um eine vorgegebene Ausgangsleistung zu erreichen. Ein weiteres Maß in Kilogramm pro Kilowatt sagt aus, wie viel Rohmaterial pro Ausgangsleistung benötigt wird. Der Beitrag erklärt die Hintergründe und Zusammenhänge.

In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten

In der Leistungselektronik zeichnet sich ein Trend in Richtung Siliziumkarbid (SiC) ab. Für SiC-MOSFETs sprechen im Vergleich zu Bausteinen auf Basis von Silizium die niedrigen Leitungs- und Schaltverluste sowie die kompaktere Form. Zudem machen die sinkenden Preise SiC-Leistungshalbleiter für Entwickler interessant.

Siliziumkarbid-Technik kann den Bereich der PV-Wechselrichter umwälzen

Die auf Siliziumkarbid (SiC) basierende Leistungshalbleiter-Technik hat inzwischen einen Entwicklungsstand erreicht, auf dem die Bausteine das Entstehen einer weiteren Generation effizienter elektronischer Systeme anstoßen können. Dies gilt insbesondere für den jungen Markt der kleinen bis mittelgroßen Wechselrichter für Photovoltaik-Anlagen.

Verbesserte Stromtragfähigkeit durch SiC-MOS-Module

Eine Anforderung an SiC-Halbleiterbausteine neben ihren thermischen Eigenschaften, kurzen Sperrverzögerungszeiten, Spannungsfestigkeit und geringer Leistungsaufnahme ist die hohe Stromtragefähigkeit. Rohm zeigt im folgenden Beitrag worauf es dabei ankommt.

Galliumnitrid oder Siliziumkarbid

Seit über 50 Jahren ist Silizium (Si) der Baustoff von Leistungstransistoren, stößt aber mittlerweile an seine physikalischen Grenzen. Mit Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) stehen zwei Halbleitermaterialien in den Startlöchern, die bessere Eigenschaften versprechen.