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Neue GIT-Struktur verhindert Current-Collapse bei GaN-HEMT-Leistungstransistoren

GaN-Leistungshalbleiter ermöglichen sehr effiziente Stromversorgungen, allerdings hat die Branche mit ihnen viel weniger Erfahrung als bei traditionellen Silizium-Chips. So tritt hier das Current-Collapse-Phänomen auf, das den Baustein zerstören kann. Panasonic erklärt die Grundlagen und stellt ein geeignetes Prüfverfahren vor.