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Hochauflösende Lithografie mit Potenzial

Logik- und DRAM-Strukturen mit Einfachbelichtung erzeugen

Das ASML-Imec-Labor demonstriert die erste High-NA-fähige Logik- und Speichermusterung als erste Validierung von Industrieanwendungen. Die Ergebnisse zeigen das Potenzial der Technologie, 2D-Merkmale in einem einzigen Schritt zu ermöglichen.

Jessica Mouchegh

8. August 2024

Was tun, wenn aus Halbleitern Relikte werden?

Obsoleszenz bei Halbleitern entgegenwirken

Ein wichtiger Aspekt der Halbleiter-Obsoleszenz ist das Testen von Speicherchips und Prozessoren. Da die herkömmlichen Testgeräte so teuer sind, hat Neumonda den Rhinoe Tester entwickelt, mit dem Hersteller DRAMs selber testen und qualifizieren können.

Petra Gottwald

6. September 2023

DRAM- und Flash-Speicher für das industrielle Internet der Dinge

10 Überlegungen: Welcher ist der richtige Massenspeicher für das IIoT?

Bei der Wahl des richtigen Speichers für IIoT-Anwendungen muss der Entwickler aus einer Vielzahl von Paramtern die die richtige Wahl für seine Anwendungen treffen. Aber welche Features gilt es, genauer unter die Lupe zu nehmen?

Arthur Sainio

4. November 2020

Marktprognose

Autonome Fahrzeuge lösen Boom bei Speicherbausteinen aus

2018 waren Standalone-Speicherbausteine für die Automobilindustrie mit weniger als 3 Prozent des Marktes ein kleiner Bereich. Autonomes Fahren und Konnektivität entwickeln den Markt zum Mainstream.

Dr. Simone Bertolazzi

25. September 2019

Einer für alle

Hyper-Bus für Flash und DRAM

Bei Benutzerschnittstellen setzen sich zunehmend grafische Darstellungsformen durch. Doch das erfordert den Einsatz von Steuerplattformen für die entsprechenden Embedded-Systeme und führt oft zu einer hohen Zahl von Speicheranschlüssen. Eine Speicherbus-Technologie unterstützt sowohl Flash als auch DRAM.

Marcel Kuba

20. October 2017

Mehr Effizienz, weniger Fehler

LPDDR4/LPDDR4x-Speicher mit Fehlerkorrektur ECC

Bei DRAM-Speichern mit Fehlerkorrektur (Error Correcting Code, kurz: ECC) werden Einzelbitfehler erkannt und automatisch korrigiert, um mehr Zuverlässigkeit zu erreichen. Dies ermöglicht eine höhere Speicherdichte und -bandbreite. Zudem unterstützen Einsparungen im Standby- und im Refresh-Verbrauch Niedrigenergiefunktionen.

Redaktion

15. September 2017

All-electronics

Qimonda und Elpida planen Technologiekooperation

Entwicklungs-Allianz für DRAM-Speicherchips mit Zellgrößen von 4F²

Hans Jaschinski

24. April 2008