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Vorteile integrierter 1700-V-Flyback-Controller mit SiC-MOSFET

Die Weiterentwicklung der MOSFETs basierend auf dem Wide-Bandgap-Halbleiter Siliziumkarbid (SiC) erlaubt es mittlerweile, die Spannungsfestigkeit integrierter Flyback-Controller auf bis zu 1700 V zu erhöhen. Doch Controller ist nicht gleich Controller.