Tag: gatetreiber

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Höherer Wirkungsgrad in der Energiewandlung

In Echtzeit variierbare Gatetreiberstärke bei SiC-Invertern

Bei der Entwicklung der nächsten Generation von Traktionswechselrichtern im EV setzt die Industrie in großem Umfang auf Feldeffekt-Transistoren (FETs) auf der Basis von SiC. Sie benötigen dafür jedoch auch die passende Treibertechnologie.

George Lakkas

17. November 2023

Funktionale Sicherheit in Traktionswechselrichtern

Überwachung der Gate-Schwellenspannung für mehr Sicherheit im EV

Die ISO-Norm 26262 regelt die funktionale Sicherheit im Automotive-Bereich. Wenn es beim Design von EVs darum geht, die Funktionssicherheit der Traktionswechselrichter-Systeme zu verbessern, kann es helfen, die Gate-Schwellenspannung zu überwachen.

Nosa Egiebor

23. May 2023

Zweistufige Slew-Rate-Steuerung

Antrieb von Wechselrichtern mit parallel geschalteten diskreten IGBTs

Um die Ausgangsleistung in Antrieben zu erhöhen, werden diskrete IGBTs oft parallelgeschaltet. Allerdings ist die Stromverteilung zwischen den parallelgeschalteten IGBTs während der Schaltvorgänge oft ungleich. Abhilfe schafft ein Gatetreiber-IC mit zweistufiger Slew-Rate-Steuerung (2L-SRC).

Wolfgang Frank

22. November 2022

Von Traktionswechselrichter bis Batteriemanagement

So lässt sich der Wirkungsgrad von Subsystemen in E-Autos maximieren

Da 25 % der finalen Kosten eines E-Autos auf die Batterie entfallen, ist die Verbesserung der Energienutzung und damit der Wirkungsgrad ein wesentlicher Faktor beim Design aller Subsysteme. Der Fokus liegt auf WBG-Halbleitern, PWM und BMS.

Timothé Rossignol

29. March 2022

Vereinfachtes Gatetreiber-Design

Cool-SiC-MOSFETs: Ist parasitäres Einschalten ein Schwachpunkt?

Das von der Miller-Kapazität verursachte parasitäre Einschalten wird oftmals als Schwachpunkt heutiger Siliziumkarbid-MOSFETs angesehen. Ist das auch für Cool-SiC-MOSFETs der Fall?

Klaus Sobe

3. September 2019

Den Kurzschlussfall beherrschen

Gatetreiber für die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs auslegen

Verbesserte Materialeigenschaften von SiC-Leistungshalbleitern lassen sich vorteilhaft nutzen um die Geräteleistung zu steigern und durch Optimierungsmöglichkeiten im Gerätedesign die Systemkosten zu reduzieren. Doch bislang stand die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs in Frage. Aktuelle Untersuchungen zeigen, dass derzeitige Lösungen mit entsprechenden Gatetreibern eine ausreichende Robustheit zur Verfügung stellen.

Levi Gant, Sujit Banerjee

9. August 2018