Leistungshalbleiter für Anspruchsvolle Flexible und skalierbare Gehäusetechnik für Leistungsmodule Infineon hat eine neue, modulare Gehäuse-Plattform für High-Power-IGBT-Module entwickelt, die für den gesamten Spannungsbereich für IGBT-Chips von 1,2 kV bis 6,5 kV ausgelegt sind und eine breite Skalierbarkeit mit hoher Stromdichte ermöglichen. Für Applikationsentwickler vereinfacht sich dadurch die Systementwicklung. Thomas Schütze, Georg Borghoff, Matthias Wissen und Alexander Höhn 19. June 2015