Tag: halbbrücke

Bild 1a: Prinzipaufbau des 22 mOhm-Schalters.

GaN-Schaltbaustein mit Positiv-Logik vereinfacht die Ansteuerung

Einzelne GaN-HEMTs sind unbeschaltet selbstleitend und umständlich anzusteuern. Visic entwickelte daraus einen intergrierten Schaltbaustein mit funktionaler Sicherheit, der in Positiv-Logik arbeitet und dadurch die Ansteuerung vereinfacht. Der Beitrag erläutert die Besonderheiten und Vorteile dieser GaN-Leistungsschalter.

Bernd Ilchmann, Jieyi Zhu

5. Dezember 2018

Bild 4: Treiberkonzept mit De-Sat-Überwachung. Für einen ströungsfreien Betrieb ist es hier notwendig, die Schaltflanke

Den Kurzschlussfall beherrschen

Gatetreiber für die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs auslegen

Verbesserte Materialeigenschaften von SiC-Leistungshalbleitern lassen sich vorteilhaft nutzen um die Geräteleistung zu steigern und durch Optimierungsmöglichkeiten im Gerätedesign die Systemkosten zu reduzieren. Doch bislang stand die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs in Frage. Aktuelle Untersuchungen zeigen, dass derzeitige Lösungen mit entsprechenden Gatetreibern eine ausreichende Robustheit zur Verfügung stellen.

Levi Gant, Sujit Banerjee

9. August 2018

Optimierungsaufgabe

IGBT-Shoot-Through-Strom bei Halbbrücken-Motorsteuerungen minimieren

IGBTs in Halbbrückenschaltungen sind besonders für Motorsteuerungsanwendungen beliebt. Durch die Totempfahl-Anordnung ergibt sich eine Situation, die ein optimales Gatewiderstandsdesign erfordert. Zu berücksichtigen sind dabei Schaltleistungsverluste, elektromagnetische Störaussendungen, Shoot-Through-Ströme und falsche Triggerung.

JunHo Lee

8. September 2015

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GaN-Schaltbaustein mit Positiv-Logik vereinfacht die Ansteuerung

Gatetreiber für die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs auslegen

IGBT-Shoot-Through-Strom bei Halbbrücken-Motorsteuerungen minimieren