Tag: igbt

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IGBT7-Technologie verbessert Power Management-Systeme

Die IGBT7-Technologie vereint hohe Stromtragfähigkeit, geringere Schalt- und Leitungsverluste sowie eine erweiterte Temperaturbeständigkeit. Sie ermöglicht optimierte Leistungselektroniklösungen für industrielle und mobile Anwendungen.

Amit Gole

26. November 2025

Die Technik hinter Wärmepumpen

Die Rolle intelligenter Power-Module beim umweltfreundlichen Heizen

Wärmepumpen liegen weltweit im Trend und helfen dabei, die CO2-Emissionen noch weiter zu senken. Mit intelligenten Power-Modulen auf IGBT-Basis für die Motorsteuerung lassen sie sich noch effizienter gestalten. Was ist dabei zu beachten?

Arnold Lee

13. September 2024

Wide-Bandgap-Halbleiter unter der Lupe

11 Mythen über Siliziumkarbid (SiC) und was dahinter steckt

Siliziumkarbid (SiC) steht eine goldene Zukunft bevor. Dabei gibt es viele Mythen, die dem Wide-Bandgap-Halbleiter einige Fähigkeiten absprechen. Aber wie sind diese zu beurteilen?

Dr. Martin Large

19. January 2024

Aller guten Dinge sind zwei

Zweistufige Slew-Rate-Steuerung erhöht Wärmespanne bei Antrieben

Die Schaltleistung von IGBTs lässt sich schwer mit einem festen Wert für den Gate-Widerstand optimieren. Gate-Treiber-ICs mit zweistufiger Slew-Rate-Steuerung bieten eine Lösung dafür und können die Temperaturmarge in Antriebsanwendungen erhöhen.

Dr. Wolfgang Frank, Niclas Thon

28. April 2023

Zweistufige Slew-Rate-Steuerung

Antrieb von Wechselrichtern mit parallel geschalteten diskreten IGBTs

Um die Ausgangsleistung in Antrieben zu erhöhen, werden diskrete IGBTs oft parallelgeschaltet. Allerdings ist die Stromverteilung zwischen den parallelgeschalteten IGBTs während der Schaltvorgänge oft ungleich. Abhilfe schafft ein Gatetreiber-IC mit zweistufiger Slew-Rate-Steuerung (2L-SRC).

Wolfgang Frank

22. November 2022

Höherer Wirkungsgrad bei der Energiewandlung

Leistungs-Module für mehr Effizienz im Traktionswechselrichter

Eine höhere Dichte von Batteriezellen und eine effizientere Leistungswandlung sind entscheidend, um die Reichweite von EVs zu erhöhen. Besonders für den Traktionswechselrichter ist der Wirkungsgrad entscheidend. Was IGBTs hierbei leisten.

Jonathan Liao

28. September 2022

Kombination für EVs mit zwei Wechselrichtern

Gate-Treiber für IGBT- und SiC-MOSFETs im E-Auto

Gerade bei Neuentwicklungen dominiert zunehmend die SiC-MOSFET-Technologie. Im Vergleich zum IGBT bringt sie bei 800 V Effizienzvorteile von mehr als zehn Prozent im Vergleich zum WLTP-Fahrzyklus. Aber auch bei IGBTs gibt es Weiterentwicklungen.

Kevin Lenz, Vikneswaran Thayumanasamy und Christian Felgemacher

7. September 2022

Teil 9 der Themenreihe

Hidden Champions der Elektronik: Zwischenkreis-Kondensatoren

Ohne die Hidden Champions an der Peripherie kann kein "Star" auf einer Platine funktionieren. Teil 8 der Themenreihe widmet sich Zwischenkreis-Kondensatoren.

Nicole Ahner

20. May 2022

Leistungsmodule – auch auf Siliziumkarbid-Basis

Vergleich: IGBT- und SiC-MOSFET-PIMs in Solarwechselrichtern

Was sind die Unterschiede zwischen IGBTs und SiC-MOSFETs, und was bedeutet das für Elektronik-Entwickler? Diese Infos erleichtern die Auswahl der Halbleiter.

Alfred Vollmer

3. September 2021

Verringert Verluste und Leistungsaufnahme

Rohm bietet Hybrid-IGBTs mit integrierter SiC-Diode

Rohm kündigt mit seiner RGWxx65C-Serie Hybrid-IGBTs mit einer integrierten 650-V-SiC-Schottky-Barrierediode an. Die Bauelemente sind nach Automotive-Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 qualifiziert.

Nicole Ahner

20. July 2021

Zuverlässigkeit und Schutz bei hohen Busspannungen

Leistungshalbleiter in EV-Ladegeräten sicher einsetzen

Ladelösungen mit hoher Leistungsdichte setzen heute auf IGBT-, SiC- und GaN-basierte Leistungswandler die im Megahertz-Bereich schalten. Mit immer höheren Leistungs- und Spannungswerten kommt es dabei darauf an, Menschen und Anlagen vor gefährlichen Betriebszuständen zu schützen.

Jayanth Rangaraju, Harish Ramakrishnan

12. March 2021

Für den Einsatz in mittleren E-Fahrzeugen

Infineon: IGBT-Leistungsmodul für Traktionsumrichter

Infineon hat mit dem Hybrid-Pack DC6i ein IGBT-Leistungsmodul für Antriebsumrichter in Elektrofahrzeugen der Leistungsklasse von 80 kW bis 100 kW entwickelt.

Gunnar Knuepffer

11. September 2020

Spannungsfeld Leistung, Robustheit und Kosten

Leistungshalbleiter-Technologien für die Elektromobilität

Bei Elektroantrieben gilt es, die Systeme so effizient wie möglich zu gestalten. Dabei spielt die Leistungselektronik eine entscheidende Rolle, denn mit einem Anteil von rund 20 Prozent trägt sie erheblich zum elektrischen Gesamtverlust bei. Dabei ist zu beachten, dass die Wahl der Leistungshalbleiter immer ein Kompromiss zwischen Leistung, Robustheit und Kosten ist.

Ajay Poonjal Pai

9. June 2020

Alles ein Frage der Verbindung

Leistungshalbleiter zum Test richtig kontaktieren

Zum Test müssen Leistungshalbleiter mit dem Messgerät verbunden werden. Der Beitrag zeigt Wege zum Verbinden von Bauelementen in verschiedenen Gehäusetypen und geht auch auf die On-Wafer-Charakterisierung ein.

Norbert Bauer

31. March 2020

Insassen, Sicherheit, Energiespeicher

IGBT-Hochvoltheizer klimatisiert E-Autos und konditioniert Batterien

Elektrische Fahrzeuge sind deutlich effizienter als Fahrzeuge mit Verbrennungsmotoren. Deshalb reicht die Motorabwärme nicht mehr aus, um den Fahrzeuginnenraum ausreichend zu beheizen. Eine neue Generation an Hochvoltheizern kann helfen.

Felipe Filsecker

9. September 2019

Leistungselektronik

Vor- und Nachteile diskreter Gate-Treiber und von Fertiglösungen

Sind Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren, die Kreuzung aus MOSFET und Bipolar-Transistor, unkomplizierte steuerbare Leistungsbauteile? Nicht ganz, denn es geht um Leistung. Hohe Zuverlässigkeit wird nur mit dem richtigen Know-how erreicht.

Kai Asmacher, Wolf-Dieter Roth

27. March 2019

Verluste minimieren, Durchlassverhalten optimieren

Technologische Fortschritte bei Si-IGBTs im Spannungsbereich bis 1200 V

Fortschritte im Herstellungsprozess von Silizium-IGBTs verbessern das Schaltverhalten und verringern die Verluste im Durchlasszustand. Für den Anwender bleibt jedoch die Frage nach dem für eine Anwendung am besten geeigneten Leistungsschalter. Der Beitrag betrachtet diese Frage aus einer technischen Perspektive im Licht aktueller Entwicklungen bei Si-IGBTs mit Fokus auf Sperrspannungen von 600 bis 750 V.

Dr.-Ing. Anton Mauder, Dr. rer nat Frank Wolter

30. May 2018

IGBTs und MOSFETs treiben

Steuerspannung sicher und zuverlässig galvanisch getrennt ans Gate

Hy-Line erklärt in diesem Whitepaper, was es bei der Verwendung einesIGBT zu beachten gibt und wie sie einzusetzen sind.

Martin Probst

11. December 2017

Spannungswandler für extreme Belastungen

Ansteuerung von IGBTs in Elektro-Motorrädern

Die Entwicklung der Leistungsregelung für ein elektrisch angetriebenes Superbike ist ein komplexes Projekt. Murata arbeitete beim Design der Spannungswandler für die IGBT-Gatetreiber mit der Universität Nottingham zusammen. Gemeinsam wurden die Entwicklungsherausforderungen gemeistert.

Frank Warnes, Marco Degano

4. June 2017

Die virtuelle Chiptemperatur und was sie bedeutet

Auch an virtuellen Temperaturen kann man sich verbrennen

Früher war vieles einfacher und besser, so heißt es gelegentlich. Bei Halbleitertemperaturen könnte man das durchaus meinen. Vor Jahren stand in Datenblättern noch eine maximal zulässige Chiptemperatur Tjmax. Das war eine klare Aussage: heißer darf der Chip nicht werden! Heute findet sich stattdessen eine virtuelle Chiptemperatur Tvjmax.

Dr. Reinert Pierzina

10. May 2017

Leistungsübertrager

Gate-Drive-Transformer für moderne IGBT-Umrichter

Da im Zwischenkreis eines Frequenzumrichters sehr viel größere Spannungen herrschen als nach außen sichtbar sind, müssen Entwickler eine galvanische Trennung zwischen Zwischenkreis und User-Interface vorsehen. Für die Signale eignen sich Optokoppler, aber für die Leistungsübertragung kommen meist DC/DC-Wandler zum Einsatz. Vacuumschmelze stellt hierfür neue Ansteuerübertrager vor.

Frank Schnelle

10. December 2015

IGBT-Treiber

Gate-Treiber-Optokoppler per Simulation in IGBT-Endstufen integrieren

Beim Einsatz des intelligenten Gate-Treibermoduls ACPL-339J in IGBT-Endstufen unterstützt ein SPICE-Modell die Entwickler bei der Schaltungsdimensionierung und -validierung. Mit weiteren Parametern der externen Beschaltungsbauteile lässt sich die gesamte IGBT-Treiberstufe simulieren und somit Entwicklungsaufwand verringern.

Lim Shiun Pin

11. November 2015

Optimierungsaufgabe

IGBT-Shoot-Through-Strom bei Halbbrücken-Motorsteuerungen minimieren

IGBTs in Halbbrückenschaltungen sind besonders für Motorsteuerungsanwendungen beliebt. Durch die Totempfahl-Anordnung ergibt sich eine Situation, die ein optimales Gatewiderstandsdesign erfordert. Zu berücksichtigen sind dabei Schaltleistungsverluste, elektromagnetische Störaussendungen, Shoot-Through-Ströme und falsche Triggerung.

JunHo Lee

8. September 2015

Power Analyzer

Leistungshalbleiter flexibel und exakt charakterisieren

Neue Materialien und Strukturen bei Halbleitern erfordern flexible, aber dennoch hochpräzise Messgeräte für Hersteller und Anwender: Power-Device-Analyzer eröffnen neue Möglichkeiten gegenüber traditionellen Curve-Tracern und schließen die Lücke zwischen einfachem Bedienerkonzept und hoher Messpräzision.

Norbert Bauer

1. September 2015

PCIM – Young Engineer Award

Leistungsanreiz für Jungingenieure

Alljährlich wird auf der PCIM der Young Engineer Award ausgelobt und bildet einen der Höhepunkte dieser Leistungselektronikmesse. Während sich bis 2014 internationale Gewinner die drei Hauptpreise unter sich aufteilten, konnte im Jahre 2015 erstmals ein rein deutsches Trio reüssieren. Hier werden zwei siegreiche PCIM-Präsentationen aus den Jahren 2014 und 2015 näher vorgestellt.

Wolfgang Patelay

13. August 2015

Leistungshalbleiter für Anspruchsvolle

Flexible und skalierbare Gehäusetechnik für Leistungsmodule

Infineon hat eine neue, modulare Gehäuse-Plattform für High-Power-IGBT-Module entwickelt, die für den gesamten Spannungsbereich für IGBT-Chips von 1,2 kV bis 6,5 kV ausgelegt sind und eine breite Skalierbarkeit mit hoher Stromdichte ermöglichen. Für Applikationsentwickler vereinfacht sich dadurch die Systementwicklung.

Thomas Schütze, Georg Borghoff, Matthias Wissen und Alexander Höhn

19. June 2015

Bigger is better?

Die Bedeutung der Leistungsdichte in der modernen Leistungselektronik

Eine der in der Leistungselektronik wichtigen Kennzahlen ist die Leistungsdichte. Die auf das Volumen bezogene Angabe in Kilowatt pro Liter verrät, wie viel Bauraum eine leistungselektronische Komponente benötigt, um eine vorgegebene Ausgangsleistung zu erreichen. Ein weiteres Maß in Kilogramm pro Kilowatt sagt aus, wie viel Rohmaterial pro Ausgangsleistung benötigt wird. Der Beitrag erklärt die Hintergründe und Zusammenhänge.

Dr. Martin Schulz

12. May 2015

MOSFETs: Siliziumkarbid löst Silizium ab

In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten

In der Leistungselektronik zeichnet sich ein Trend in Richtung Siliziumkarbid (SiC) ab. Für SiC-MOSFETs sprechen im Vergleich zu Bausteinen auf Basis von Silizium die niedrigen Leitungs- und Schaltverluste sowie die kompaktere Form. Zudem machen die sinkenden Preise SiC-Leistungshalbleiter für Entwickler interessant.

Dieter Liesabeths

7. May 2015

Gleichspannungswandler als Stromversorgung für IGBT-Gatetreiber

Störungen und Spannungsabfälle minimieren

In Hochleistungsanwendungen findet man inzwischen IGBTs mit Gatekapazitäten im dreistelligen Nanofarad-Bereich. Zum Ein- und Ausschalten eines IGBT muss im Prinzip nur diese Kapazität ge- beziehungsweise entladen werden. Der hierfür erforderliche Strom verursacht jedoch durch die Spannungsabfälle in der Gatetreiber-Schaltung und im IGBT selbst erhebliche Verluste.

Paul Lee

18. August 2014

Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs und IGBTs

Diskrete Ansteuerungen für Motoren kleiner Leistung

Der Beitrag beschäftigt sich mit diskreten Schaltungslösungen auf der Basis von Leistungs-MOSFETs und IGBTs, die speziell für Motoren kleiner Leistung (das heißt mit bis zu 100 W Leistungsaufnahme) in Hausgeräte-Applikationen vorgesehen sind.

Francesco Distefano, Giuseppe Introvaia, Salvatore La Mantia

31. October 2013

Einsparung 60 diskreter Komponenten

ASIL-konforme Treiber für (H)EVs

Mit den neuen IGBT-Treibern „EiceDriver SIL“ und „EiceDriver Boost“ unterstützt Infineon ASIL-C/D-Designs für Hybrid- und Elektrofahrzeuge.

vollmer

22. May 2013

IGBT-Schaltungen zuverlässiger machen

Hoch isolierte DC/DC-Wandler

IGBTs werden in der Leistungselektronik gerne als schnelle Schalter eingesetzt, zum Beispiel bei der Steuerung von Motoren. Zur Versorgung werden DC/DC-Wandler gebraucht, die den IGBT galvanisch vom Massepotenzial der Steuerelektronik trennen. Die Qualität dieser Isolationsbarriere ist kritisch für die Lebenserwartung des gesamten Systems.

Reinhard Zimmermann

29. April 2013

Saubere Module, starke Leistung

Leistungsmodule: Wie ein Reinigungsprozess den Yield erhöht

Ein spezialisierter Reinigungsprozess kann den entscheidenden Unterschied bei der Herstellung von komplex aufgebauten Leistungsmodulen ausmachen. Erfahren Sie, wie Sie den Yield und die Qualität durch rückstandsfreie Oberflächen erhöhen können.

Katharina Wöhrl und Christoph Karl

8. September 2012

Optimale Power

Verbindungswerkstoffe in der Leistungselektronik

Immer höhere Verlustleistungen und die fortschreitende Miniaturisierung führen zu einer Steigerung der Einsatztemperatur elektronischer Bauelemente. Als zusätzliche Anforderung ist auch die höhere Lebensdauer der Verbindung zwischen dem Substrat und dem verwendeten Die zu nennen. Diese Erwartungen an die Leistungsbauelemente sind nur erfüllbar, wenn nicht zuletzt die Verbindungstechniken und -materialien entsprechend ausgewählt wurden.

Thomas Krebs

28. April 2011

Die Effizienz erhöhen

Punch-Through-IGBT

Die Power-MOS-8-Punch-Through-IGBT-Serie erfüllen die Anforderung für den Einsatz in 600- und 900-V-Applikationen.

Redaktion

16. July 2008

Applikation: Leistungshalbleiter PT IGBT contra Power MOSFET

Punch Through (PT) IGBTs

Advanced Power Technology (Vertrieb: Eurocomp) hat auf 6 Seiten in englischer Sprache die Technologie, die Parameter und die Vor- und Nachteile beider Leistungshalbleiter verglichen.

d.boenning

4. May 2004