Applikation: Leistungshalbleiter PT IGBT contra Power MOSFET

Punch Through (PT) IGBTs

d.boenning d.boenning

4. Mai 2004 - 00:00

Advanced Power Technology (Vertrieb: Eurocomp) hat auf 6 Seiten in englischer Sprache die Technologie, die Parameter und die Vor- und Nachteile beider Leistungshalbleiter verglichen.

Dabei geht es hauptsächlich um die Schalt- und Leitungsverluste der neuesten Punch Through (PT) IGBTs (Bild) und der Leistungs-MOSFETs. Angesprochene Parameter sind die Schaltgeschwindigkeit, die Frequenz/Strom-Abhängigkeit, Temperatureffekte usw.