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Neue Entwicklungen im schwelenden Streit um GaN

Infineon und Innoscience streiten über GaN-Urteile

Infineon meldet weitere Erfolge im GaN-Patentstreit mit Innoscience. Der chinesische Wettbewerber sieht seine aktuellen Produkte jedoch nicht betroffen und verweist auf eine andere Lesart der Urteile.

Dr. Martin Large

19. June 2026

Bild 1: Mit GaN lassen sich hohe Leistungsdichten auf der Primär- als auch der Sekundärseite des Netzteils erzielen.

GaN wird zur umfassenden Technologielösung

Warum GaN so interessant für viele Anwendungsbereiche ist

Gallium-Nitrid (GaN) ist nicht nur ein Silizium-Ersatz – es ist der Treibstoff für die Revolution in Leistungselektronik, Mobilität und Industrie 4.0. Die Vorteile: Mehr Power, weniger Verluste, neue Möglichkeiten.

Dr. Denis Marcon

27. January 2025