Tag: innoscience

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Neue Entwicklungen im schwelenden Streit um GaN

Infineon gewinnt erneut gegen Innoscience

Nach mehreren Entscheidungen in Deutschland ist nun auch die US-Entscheidung im GaN-Patentstreit final bestätigt. Patentverletzende Produkte von Innoscience dürfen laut Infineon nicht mehr in die USA eingeführt oder dort zum Kauf angeboten werden.

Dr. Martin Large

7. Juli 2026

Bild 1: Mit GaN lassen sich hohe Leistungsdichten auf der Primär- als auch der Sekundärseite des Netzteils erzielen.

GaN wird zur umfassenden Technologielösung

Warum GaN so interessant für viele Anwendungsbereiche ist

Gallium-Nitrid (GaN) ist nicht nur ein Silizium-Ersatz – es ist der Treibstoff für die Revolution in Leistungselektronik, Mobilität und Industrie 4.0. Die Vorteile: Mehr Power, weniger Verluste, neue Möglichkeiten.

Dr. Denis Marcon

27. Januar 2025