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Sehr gutes Schaltverhalten und hohe Zuverlässigkeit

GaN-FETs: Kupfer-Clip-Gehäuse eröffnen neue Möglichkeiten

Hochleistungs-GaN-FETs kombiniert mit einem Kupfer-Clip-Gehäuse bieten ein sehr gutes Schaltverhalten mit einem hohen Maß an Zuverlässigkeit und erfüllen die steigenden Leistungsanforderungen neuer Anwendungen. Wie das funktioniert.

Giuliano Cassataro

16. May 2024

Halbleiter mit breiter Bandlücke im Kupfer-Clip-Gehäuse

GaN-FETs bieten hohe Schaltstabilität und thermische Leistung

Nexperia kombiniert die Vorteile von Kupfer-Clip-Gehäusen und Halbleitern mit breiter Bandlücke, um GaN-FET-Bauelemente für Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien bereitzustellen. Die Bausteine zeichnen sich durch niedrigen RDS(on) aus.

Jessica Mouchegh

6. December 2023