Hochleistungs-HF-MEMS-Schalter Passive Intermodulation und Power Handling Der Beitrag beschreibt die Theorie von auf Silizium-Substrat basierter HF-MEMS-Technologie und demonstriert die Machbarkeit der Implementierung eines HF-Schalters mit hoher Leistung, geringem Verlust und hoher Linearität. Kommerzielle Zwei-Ton-Intermodulationstests zeigen ein IMD3 von 90 bis 110 dBm bei 850 MHz und von 90 dBm bei 3,6 GHz. Ian Burke, Darryl Evans, Chris Keimel, Marten Seth, Xu Zhu 24. March 2020