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Alles auf Anfang: Germanium schlägt Silizium

Forscher der Namlab gGmbH und des Exzellenzclusters Cfaed der technischen Universität Dresden haben einen Transistor aus Germanium realisiert, der sich elektrisch zwischen Elektronen- und Löcherleitung umprogrammieren lässt. Aufgrund der geringeren Bandlücke im Vergleich zu Silizium könnten Germaniumtransistoren mit deutlich niedrigerer Einsatzspannung betrieben werden.