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STMicroelectronics stellt erste 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer her

STMicroelectronics hat in seinem Werk in Norrköping (Schweden) die Produktion der ersten SiC-Wafer mit einem Substratdurchmesser von 200 mm bekanntgegeben. Diese sollen für das Prototyping einer neuen Generation von Leistungselektronik-Bauelementen dienen.