Auf Sperrverzögerung und Reverse-Recovery-Performance achten Trench-Mosfets in schnellschaltenden Applikationen Ziel in der Leistungselektronik: den Wirkungsgrad des Leistungsbausteins zu steigern, um die Applikation so effizient wie möglich zu gestalten. Bei Mosfets sollte dabei die Sperrverzögerung oder auch Reverse-Recovery detailliert betrachtet werden. Worauf es dabei ankommt, beschreibt International Rectifier. Redaktion 13. May 2011