Umstellung auf neuen Substratdurchmesser STMicroelectronics stellt erste 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer her STMicroelectronics hat in seinem Werk in Norrköping (Schweden) die Produktion der ersten SiC-Wafer mit einem Substratdurchmesser von 200 mm bekanntgegeben. Diese sollen für das Prototyping einer neuen Generation von Leistungselektronik-Bauelementen dienen. Nicole Ahner 30. July 2021