Energieeffizienz industrieller Antriebe mit SiC-MOSFETs steigern Wechselrichter: Leistungsvergleich von Si-IGBT und SiC-MOSFET Die Energieeffizienz von industriellen Antrieben hat einen hohen Stellenwert. Halbleiterhersteller versuchen deshalb, die Leistungsfähigkeit der Leistungsbausteine in den Umrichterstufen zu steigern. Eine Lösung sind SiC-MOSFETs. Carmelo Parisi, Antonino Raciti, Angelo Sciacca 7. November 2019