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Das sind die Vorteile einer Direktansteuerung von SiC-JFETs

Die Direktansteuerung reduziert den Einschaltwiderstand eines SiC-JFETs um mehr als 16 Prozent. Ihr niedriger Durchlasswiderstand pro Flächeneinheit (RDS∙A) und ihr schnelles Schalten können gut mit mechanischen Relais und IGBTs mithalten.

Jonathan Dodge

5. August 2022

Ein starkes Gespann in der Leistungselektronik

Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET

Wenn die physikalischen Eigenschaften einzelner Halbleiterwerkstoffe den schaltungstechnischen Anforderungen nicht genügen, kann eine Kombination wie die Kaskode aus Si-MOSFET und SiC-JFET die optimale Lösung für Hochleistungsanwendungen sein. United SiC erörtert die Problemsituation und stellt einen passenden Kaskodenbaustein vor.

Anup Bhalla

9. August 2018