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Beschleunigt Einführung von SiC bei der Elektrifizierung

ST und Soitec kooperieren bei SmartCut für 200-mm-SiC-Substrate

STMicroelectronics (ST) und Soitec haben eine Vereinbarung getroffen, die SiC-Substrattechnologie von Soitec über die nächsten 18 Monate durch ST zu qualifizieren. Zu der SmartSiC-Technologie von Soitec gehört auch das SmartCut-Verfahren.

Nicole Ahner

1. December 2022