Tag: to-247-gehäuse

TO-247-Gehäuse verbessert Wirkungsgrad für 600-V-GaN-Transistoren

Warum sich ein TO-247-Gehäuse gut für GaN-Transistoren eignet, demonstriert Transphorm mit Messreihen an realen PFC-Schaltungen. Die Halbleiter schalten 600 V in wenigen Nanosekunden bei Verlustleistung im Wattbereich. Besonders für Wechselrichter bis zu mehreren Kilowatt wird die GaN-Technologie zunehmend attraktiver.