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Aktive PFC mit bis zu 99 % Wirkungsgrad

Im Vergleich zu herkömmlichen Topologien besitzt die GaN-auf-Si-Schaltung die geringste Anzahl an schnellen Leistungsbausteinen und ermöglicht die widerstandsärmsten Strompfade ohne jeglichen Dioden-Spannungsabfall, wodurch modernste Umwandlungseffizienz erreicht wird.