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Entdeckungen, nach denen keiner wirklich suchte

Zufallsfunde: Wie Serendipität die Elektronik prägt

Unerwartete Zufälle (Serendipität) sind manchmal der geheime Treibstoff hinter technologischen Revolutionen. Ob Transistor, Mirkrowellen oder das Czochralski-Verfahren – so manche Entdeckung wurde gemacht, obwohl gar nicht danach gesucht wurde.

Dr. Martin Large

10. January 2025

Preisverleihung in Stockholm

Physik-Nobelpreise und ihr Einfluss auf die Elektronik

Die größten Durchbrüche in der Elektronik basieren oft auf Entdeckungen, die mit Physik-Nobelpreisen ausgezeichnet wurden. Ob LED, Transistor oder Halbleiterphysik – diese prämierten Leistungen haben Technologien ermöglicht, die unsere Welt prägen.

Martin Probst

6. December 2024

Von E-Commerce über Social Media bis IT-Dienstleistungen

Diese Prominenten studierten Elektrotechnik

Berühmte Karrieren haben oft überraschende Ursprünge. So haben einige bekannte Namen ein Elektrotechnik-Studium absolviert – vom Tech-Guru über royale Musiker und Automotive-Lenker bis zum Comedian und ganz aktuell Strongman und Ministerpräsident.

Dr. Martin Large

22. October 2024

Fortschritt in der essbaren Elektronik

Essbarer Transistor: Elektronik aus Zahncreme-Pigment

Forscher haben ein Zahncreme-Pigment in einen essbaren Transistoren für sichere Überwachung im Körper verwandelt. Dafür mussten sie einige technologische Hürden überwinden.

Dr. Martin Large

17. October 2024

Glossar der Mikroelektronik-Bauteile

Elektronische Bauteile: Die wichtigsten Typen erklärt

Mikroelektronik bildet das Fundament heutiger Technologie. Die präzise Steuerung und Leistungsfähigkeit dieser Geräte hängt von den verbauten Bauteilen ab. Sie ermöglichen die Miniaturisierung und Effizienzsteigerung, die Fortschritte möglich machen.

Martin Probst

10. October 2024

n- und p-Typ-Betrieb in einem einzigen Bauelement

Rekonfigurierbare Feldeffekttransistoren verändern Chipdesign

Forscher TU Wien wollen mit rekonfigurierbaren Feldeffekttransistoren (RFETs) die Grenzen der herkömmlichen Chiparchitektur überwinden und neue Möglichkeiten für die Mikroelektronik eröffnen. Wie das funktionieren könnte.

Dr. Martin Large

19. March 2024

Optische und elektrische Datenübertragung vereinen

Germanium-Zinn-Transistor als Alternative zu Silizium

Das Forschungszentrum Jülich hat einen Transistor aus einer Germanium-Zinn-Legierung gefertigt und als vielversprechenden Kandidaten für künftige Low-Power- und High-Performance-Chips sowie für die Entwicklung von Quantencomputern präsentiert.

Dr. Martin Large

2. May 2023

Von der Welle bis zum Transistor

3 Beispiele, wie Holz in der Automatisierung eine Rolle spielen kann

Die Materialien der Automatisierung sind Metall, technische Kunststoffe und Silizium für die Chips. Aber Holz? Auch das geht, wie drei Beispiele zeigen:

Peter Koller

28. April 2023

So lassen sich Designs mit Wirkungsgrade bis 99 % realisieren

Mittels Driver-GaN 80-Plus-Titanium-Netzteilen einfach entwickeln

GaN-basierte High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT) bieten eindeutig Vorteile bei anspruchsvollen Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad. Wie sich GaN-Bauelemente am einfachsten ansteuern lassen, beschreibt der Fachbeitrag.

Yong Ang

29. April 2022

Wettbewerb der WBG-Bauelemente

So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren

Verbindungshalbleiter mit großer Bandlücke lösen in einigen Bereichen der Elektronik Silizium immer mehr ab. Besonders etabliert haben sich in den letzten Jahren Bauelemente auf Galliumnitrid- und Siliziumkarbid-Basis. Doch wo liegen die grundlegenden Unterschiede zwischen beiden und welche Vorteile bieten sie im Automotive-Bereich?

Dr.-Ing. Nicole Ahner (nach Unterlagen von Onsemi)

16. September 2021

Maximale Energieeffizienz von Halbleiterschaltern in Spannungswandlern beginnt mit der Wahl der richtigen Halbleitertechnologie

Halbleiterschalter bilden das Fundament von Spannungswandlern. Will man die Energieeffizienz solcher Schaltungen maximieren, muss man die für diese Anwendung bestgeeignete Halbleitertechnologie wählen.

Dr. Dilder Chowdhury, Dr. Jim Honea, Nexperia

17. May 2021

Hochfrequenz-Power-Delivery

Wo liegen die Design-Herausforderungen bei GaN-Bauelementen für die Stromversorgung?

Wide-Bandgap-Halbleiter sind der Schlüssel für energieeffizientere, kleinere, leichtere und letztlich auch kostengünstigere Stromversorgungslösungen. Bei Power-Delivery-Schaltungen richtet sich das Augenmerk nun immer mehr auf Galliumnitrid (GaN).

Adrian Cotterill, Patricio Gomez Bello

6. April 2021

Der Königsweg der Leistungshalbleiter

Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter treten in der 600-V-Klasse mit der Superjunction-Technologie, den GaN-HEMTs und SiC-MOSFETs an. Welches Bauelement dabei für welche Schlüsselapplikation überzeugt.

Dr. Gerald Deboy, René Mente

25. March 2019

Höchste Rechenleistung bei sicherem Betrieb

x86-Power-Management: Die Basics auf Transistorebene

Aktuelle x86-Hardwarearchitekturen sind auf optimale Rechenleistung ausgelegt. Das Power-Management stellt dabei sicher, dass der Embedded-Prozessor die maximale Performance bietet und gleichzeitig ein zuverlässiger Betrieb möglich ist.

Martin Probst

21. February 2019

Rekonfigurierbarer Transistor

Alles auf Anfang: Germanium schlägt Silizium

Forscher der Namlab gGmbH und des Exzellenzclusters Cfaed der technischen Universität Dresden haben einen Transistor aus Germanium realisiert, der sich elektrisch zwischen Elektronen- und Löcherleitung umprogrammieren lässt. Aufgrund der geringeren Bandlücke im Vergleich zu Silizium könnten Germaniumtransistoren mit deutlich niedrigerer Einsatzspannung betrieben werden.

Hans Jaschinski

7. February 2017

Zu groß für ein kleines Land?

So entwickelte sich die Halbleiterindustrie in der DDR

1952 beschloss Siemens den Bau einer Halbleiterfabrik, und 1953 präsentierte Intermetall das erste Transistorradio, aber was tat sich in der DDR? Hier ist eine kurze Geschichte der Halbleiterei in der DDR von den Anfängen bis zum ersten 1-MBit-Chip.

Jörg Berkner

12. April 2016

Neuartige Schaltung zur Erkennung von Unter- und Überspannung

Spannungs-Detektor aus nur einem Transistor

Eine neuartige Erkennungsschaltung für Unter- und Überspannung (UVOV) kann mit einer einfachen Konfiguration erkennen, ob die Versorgungs-spannung innerhalb des Arbeitsbereiches liegt. Die platzsparende Schaltung benötigt nur einen Transistor für die Erkennung und ist zudem robuster gegen Offset und Fehlanpassung.

Duckki Kwon, Kyoungmin Lee, Eunchul Kang und Jaehyun Han

6. April 2011

Erkennt Drehzahl und Richtung

Gabel-Lichtschranke EE-SX1131

Die zweikanalige Gabel-Lichtschranke EE-SX1131 besitzt zwei Transistorausgänge zum Erkennen von Drehzahl und -richtung.

Redaktion

7. April 2004