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Trench-Mosfets in schnellschaltenden Applikationen

Ziel in der Leistungselektronik: den Wirkungsgrad des Leistungsbausteins zu steigern, um die Applikation so effizient wie möglich zu gestalten. Bei Mosfets sollte dabei die Sperrverzögerung oder auch Reverse-Recovery detailliert betrachtet werden. Worauf es dabei ankommt, beschreibt International Rectifier.