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In Echtzeit variierbare Gatetreiberstärke bei SiC-Invertern

Bei der Entwicklung der nächsten Generation von Traktionswechselrichtern im EV setzt die Industrie in großem Umfang auf Feldeffekt-Transistoren (FETs) auf der Basis von SiC. Sie benötigen dafür jedoch auch die passende Treibertechnologie.