Tag: wide-bandgap-halbleiter

Hohe Leistungsdichte für energieintensive Systeme

Die Stromwandler, die Server in Rechenzentren und intelligente Fahrzeuge versorgen, müssen in der Lage sein, große Leistung auf kleinerem Raum zu verarbeiten. Neue Materialien und Schaltungstopologien können bei der Entwicklung solcher Bauteile helfen.

Peter A. Blais

17. March 2023

Integration als Schlüssel für die EV-Verbreitung

Gate-Treiber und MCUs für integrierte Antriebsstränge im E-Auto

Reichweite und Erschwinglichkeit von E-Autos lassen sich mit Batterieoptimierung und zusätzlich durch integrierte Antriebsstränge erreichen. Auf der Elektronik-Seite helfen integrierte Gate-Treiber und die gemeinsame Nutzung einer MCU.

Nagarajan Sridhar

15. October 2021

Bye-bye Silizium

Wide-Bandgap-Halbleiter übernehmen die Leistungselektronik

Seit über 50 Jahren nimmt Silizium die führende Rolle in der Leistungselektronik ein. Die Ausgereiftheit der Silizium-Halbleitertechnologie hat dazu geführt, dass Leistungsbauelemente auf Silizium-Basis kostengünstig, in großen Stückzahlen und mit hoher Zuverlässigkeit herstellbar sind. In der Leistungselektronik erreicht das Material jedoch aufgrund steigender Ansprüche an Leistungsschaltkreise seine Grenzen und wird immer mehr von Materialien mit höheren Energie-Bandlücken verdrängt.

Prof. Werner Obermayr

25. April 2017

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Gate-Treiber und MCUs für integrierte Antriebsstränge im E-Auto

Wide-Bandgap-Halbleiter übernehmen die Leistungselektronik