Ziehen an einem Strang (v.l.): Peter Schiefer (Präsident der Automotive-Division von Infineon) und Jun Seki (Chief Strategy Officer für EVs bei Foxconn).

Ziehen an einem Strang (v.l.): Peter Schiefer (Präsident der Automotive-Division von Infineon) und Jun Seki (Chief Strategy Officer für EVs bei Foxconn). (Bild: Infineon)

Infineon Technologies und der Fertigungsdienstleister Hon Hai Technology (Foxconn) gehen eine langfristige Partnerschaft im Bereich Elektrofahrzeuge (EV) ein. Ziel ist die gemeinsame Entwicklung moderner Elektromobilität mit intelligenten Funktionen. Das Memorandum of Understanding (MoU) konzentriert sich auf Entwicklungen mit Siliziumkarbid (SiC), wobei sowohl SiC-Innovationen von Infineon im Automotive-Bereich als auch Foxconns Knowhow bei Automobilsystemen zum Tragen kommen. Die Vereinbarung sieht die Zusammenarbeit beider Unternehmen bei der Implementierung von SiC-Technologie in automobilen Anwendungen mit hoher Leistung wie Traktionswechselrichtern, Onboard-Ladegeräten und DC-DC-Wandlern vor.

Darüber hinaus wollen beide Unternehmen ein Applikationszentrums in Taiwan eröffnen, um die Zusammenarbeit weiter auszubauen. Dieses Zentrum wird sich auf die Optimierung von Fahrzeuganwendungen konzentrieren, einschließlich intelligenter Kabinenanwendungen, Fahrerassistenzsysteme und Anwendungen für autonomes Fahren. Zusätzlich sollen auch Anwendungen im Bereich der Elektromobilität wie Batteriemanagementsysteme und Traktionswechselrichter entwickelt werden. Die Kooperation deckt viele Automotivprodukte von Infineon ab, darunter Sensoren, Mikrocontroller, Leistungshalbleiter, Hochleistungsspeicher für spezielle Anwendungen, Mensch-Maschine-Schnittstellen und Sicherheitslösungen. Das Applikationszentrum soll im Laufe des Jahres 2023 öffnen.

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