Typische Anwendungen der Elite-SiC-Produkte sind USV, DC/DC-Wandler, Boost-Wechselrichter, Solarwechselrichter, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Energiesysteme. (Bild: Farnell)
Zu den Siliziumkarbid-Bauelemente (SiC) gehört das Elite-SiC-Leistungsmodul mit 1 N-Kanal mit einem Betriebswiderstand von 80 mΩ und einer Gate-Ladung von 56 nC. Die effektive Ausgangskapazität beträgt 79 pF. Das Bauteil kann bei einer Temperatur von bis zu 175 °C betrieben werden und ist 100 % Avalanche-getestet. Ein weiteres Produkt ist der Elite-SiC-MOSFET NXH006P120MNF2, ein Leistungsmodul, das eine SiC-MOSFET-Halbbrücke mit Betriebswiderstand von 6 mΩ und einer Source-Drain-Spannung von 1200 V sowie einen Thermistor in einem F2-Gehäuse enthält. Optionen ist das Bauteil im vorab aufgebrachtem Wärmeleitmaterial (TIM) und mit lötbaren oder Einpressstiften erhältlich. Typische Anwendungen für die Bauelemente umfassen USV, DC/DC-Wandler, Boost-Wechselrichter, Solarwechselrichter, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Energiesysteme. Diese Bauelemente sind Pb-frei, halogenfrei und RoHS-konform.
