Von ALD bis WBG Die wichtigsten Abkürzungen im Bereich Halbleiter und elektronische Bauelemente Dieser Beitrag erklärt eine Fülle von Abkürzungen aus dem Bereich Halbleiter und elektronische Bauelemente. Dabei geht es im Schwerpunkt um Halbleiter‑Technologien und ‑Materialien, Sensoren & Aktuatoren, Optoelektronik, ICs und physikalische Begriffe. Redaktion 2. October 2025
Neue Maßstäbe in der Silizium-Photonik Photonik: Das Rennen um die perfekte III-V-Laser-Integration Gelingt die direkte Integration von III-V Lasern auf Silizium, verändert das die Photonik grundlegend. Mit Nano-Ridge Engineering wurde erstmals ein CMOS-kompatibler 300-mm-Prozess realisiert – ein technologischer Meilenstein mit industrieller Tragweite. Bernardette Kunert und Joris Van Campenhout 9. May 2025
BJTs: Comeback der Klassiker Bipolartransistoren: Warum sie unverzichtbar bleiben Bipolartransistoren trotzen dem technologischen Wandel: Dank präziser Stromregelung und Robustheit bleiben sie MOSFETs und CMOS in vielen Anwendungen überlegen. Aktuelle BJT-Technologie zeigt, warum diese Bauteile noch lange unverzichtbar bleiben. Burkhard Laue 31. January 2025
Optische und elektrische Datenübertragung vereinen Germanium-Zinn-Transistor als Alternative zu Silizium Das Forschungszentrum Jülich hat einen Transistor aus einer Germanium-Zinn-Legierung gefertigt und als vielversprechenden Kandidaten für künftige Low-Power- und High-Performance-Chips sowie für die Entwicklung von Quantencomputern präsentiert. Dr. Martin Large 2. May 2023
Elektronisch abgehackt Eingangsstromrauschen in einem Chopper-OPV analysieren Die Choppertechnik korrigiert periodisch die Offset-Spannung des Verstärkers und erreicht damit eine Offset-Spannung von wenigen Mikrovolt mit Rauschen. Viele Chopper-Operationsverstärker (OPV) und Instrumentenverstärker sind jedoch hauptsächlich dazu gedacht, kleine Eingangsspannungen zu messen. Yoshinori Kusuda 8. April 2020
Mit Hafniumoxid voll CMOS-kompatibel FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein Die Ferroelectric Memory GmbH (FMC) aus Dresden stellt mit ihren FeFETs (ferroelektrischen FETs) eine Speichertechnologie vor, die die ferroelektrischen Eigenschaften einer Kristallkonfiguration von dotiertem Hafniumoxid (HfO2) nutzt. Skalierbar, CMOS-kompatibel und rein auf einem Feldeffekt beruhend lassen sich mit der Technologie Speicher mit hoher Geschwindigkeit und signifikant reduzierter Leistungsaufnahme fertigen. Dr.-Ing. Nicole Ahner 11. July 2018
Erkennen von Objekten Millimeterwellen-Sensoren in Drohnen Drohnen haben den Durchbruch geschafft, wie an ihrem vielfältigen Einsatz, von Paketzustellungs-Versuchen über Unterhaltungs-Anwendungen bis zu Sportereignissen deutlich wird. Aber um sicher und zuverlässig zu arbeiten, müssen sie ihre Umgebung präzise erkennen. Dabei helfen Millimeterwellen-Sensoren, die auch über weite Strecken genau messen. Dan Wang, Dennis Barrett, Adeel Ahmad, Vaibhav Mahimkar 11. April 2018
Operationsverstärker – CMOS oder bipolar? Stromverbrauch, Rauschen, Preis – Welche Technologie für welche OPV-Anwendung? Entwicklern steht heute eine große Auswahl an Operationsverstärkern (OPV) zur Verfügung. Die drei größten Hersteller zusammen bieten über 2200 Produkte an – und das schließt Spezialverstärker nicht mit ein. Eine Möglichkeit hier den Überblick zu behalten ist, zunächst die optimale Herstellungsmethode auszuwählen: CMOS-, Bipolar- oder BiCMOS-Technologie. Kevin Tretter 10. April 2018
Detaillierte Objekterkennung Radar Imaging mit Icon Radar: Nicht nur für automatisiertes Fahren Mit Icon Radar hat Magna ein Radar-System für die Automobilindustrie entwickelt, das Objekte klassifizieren kann. In der Luft- und Schifffahrt sind solche Systeme schon lange im Einsatz, doch erst das kosteneffiziente Design sowie die verbesserte Zuverlässigkeit ermöglichen nun die Nutzung im Volumensegment. Dr. Holger Heß 24. March 2018
Lichtsensoren Optoelektronische Sensoren für UV- bis IR-Licht Optische Filter auf CMOS-integrierten Photodetektoren ermöglichen eine Detektion für Wellenlängenbereiche von ultraviolettem bis zu nahem Infrarot-Licht. Vishay stellt kompakte SMD-Lichtsensoren mit hoher Messdynamik vor, die sich auch für den Einsatz in Wearables eignen. Dr. Heinrich Gottlob, Samy Ahmed 1. November 2016
Ist atmosphärisches Plasma potenztialfrei? Akkurate Oberflächenbehandlung elektronischer Baugruppen Angeregt durch die häufig geäußerten Bedenken, dass empfindliche Bauteile durch unzulässige Potenziale geschädigt werden könnten, hat Relyon Plasma eine Versuchsreihe gestartet, um zu analysieren, ob eine atmosphärische Plasmabehandlung für auf Entladungseffekte empfindliche elektronische Baugruppen unbedenklich ist. Dr. Stefan Nettesheim 9. February 2016
Low-Offset-ASIC mit Hall-Sensorelementen Für den Einsatz in Kompensationsstromwandlern Der vorliegende Artikel beschreibt eine neue anwendungsspezifische integrierte Schaltung (ASIC) mit auf dem Chip integrierten Hall-Sensorelementen. Diese Elemente nutzen eine von LEM patentierte Technik, die gegenüber früheren Schaltkreisen deutliche Verbesserungen bei Offset und Offset-Drift ermöglicht. Außerdem enthält der Baustein neue Funktionen wie eine Degaussing-Sequenz beim Hochfahren, Überstrom-Erkennung mit wählbaren Grenzwerten und Programmierbarkeit für Endanwender. Fabrice Salvi 4. May 2015
Integrierter Entfernungs- und Bewegungsdetektor Opto-ASIC für die industrielle Automation Delta Microelectronics hat in Kooperation mit strategischen Kunden in Schweden und Dänemark ein Opto-ASIC in Standard-CMOS-Siliziumtechnologie implementiert, das zur Farberkennung, 3D-Bewegungssensorik, Luminanz-Detektion und Entfernungsmessung in industriellen Bereichen zum Einsatz kommen kann. Sharon Akler 2. October 2012
CMOS-Sensor-Anbindung im Focus FPGAs für die Sensorschnittstellen in Kameras Ganz unbestritten ist der Bildsensor das wichtigste Bauteil einer Video- oder Bildverarbeitungs-Pipeline in einer digitalen Videokamera oder einer Fotokamera. Ohne Sensor gibt es auch kein Bild, das verarbeitet werden muss. Der Beitrag beschäftigt sich ausschließlich mit den Schnittstellen für CMOS-Sensoren, wobei FPGAs als kostengünstiger Mechanismus zur Anpassung fungieren. Niladri Roy und Ted Marena 16. June 2012
Floating Gate Array oder bipolar – ein Vergleich Spannungsreferenzen für A/D-Wandler Batterien fallen mit der Zeit von ihrem Nennwert ab. Um bei größeren Systemen einen zuverlässigen Spannungswert einhalten und Spannungsabfälle vermeiden zu können, werden Spannungsreferenzen eingesetzt. In diesem Beitrag diskutiert Intersil zwei dominante Typen von Spannungsreferenzen und ihre Vor- und Nachteile im Betrieb: Jedes Schaltungsdesign hat seine spezifischen Trade-offs, anhand derer sich der Entwickler wahlweise für FGA-Referenzen oder für bipolare Bandgap-Bausteine entscheiden sollte. Tamara Schmitz 16. May 2012
Speicherbausteine Asynchrones SRAM mit 32 Bit Busbreite und 32, 64 oder 128 MBit Kapazität Neue leistungsstärkere und größere SRAMs von Cypress ermöglichen eine höhere Systemleistung in Verbindung mit DSPs, FPGAs oder Mikroprozessoren. Leitner 29. July 2011
Paradigmenwechsel bei frequenzbestimmenden Bauteilen 4fach XO und -VCXO als CMOS-IC realisiert Ohne internen Quarz und anderen komplexen HF-Resonator kommen die XOs und VCXOs der Si530 bzw. Si550 von Silicon Labs aus, die einen Frequenzbereich von 10 MHz bis 1,4 GHz arbeiten. Heyer 30. September 2005