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GaN- und GaAs erhöhen Leistung und Bandbreite von HF-Verstärkern

Höhere Datenraten in Telekommunikationsanwendungen und Industriesystemen mit höherer Auflösung lassen die Arbeitsfrequenzen der darin enthaltenen Elektronikschaltungen in die Höhe schnellen. GaAs- und GaN-Transistoren mit kürzeren Gate-Längen in Verbindung mit verbesserten Techniken zur Entwicklung von Schaltkreisen ermöglichen Bausteine, die gut bei Frequenzen im Millimeterbereich arbeiten können und somit neue Anwendungen erschließen.