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Bipolartransistoren: Warum sie unverzichtbar bleiben

Bipolartransistoren trotzen dem technologischen Wandel: Dank präziser Stromregelung und Robustheit bleiben sie MOSFETs und CMOS in vielen Anwendungen überlegen. Aktuelle BJT-Technologie zeigt, warum diese Bauteile noch lange unverzichtbar bleiben.

Burkhard Laue

31. January 2025

Die Rettung für Signalintegrität im Auto

ESD-Schutz: High-Speed-Stabilität für das Bordnetz

High-Speed-Daten in Fahrzeugen erfordern ESD-Schutz – ohne Kompromisse bei Signalintegrität oder Bandbreite. Simulationsdaten und neue 3D-Modelle zeigen, wie Bordnetze den wachsenden Anforderungen begegnen und elektromagnetische Störungen minimieren.

Preethi Subbaraju

15. January 2025

SiC-Mosfets in QDPAK für Onboard-Ladegeräte

Automotive-Bauteile gemeinsam weiterentwickeln

Durch eine strategische Partnerschaft mit Kostal kann Nexperia WBG-Bauteile produzieren, die genau den Anforderungen von Automobilanwendungen entsprechen.

Jessica Mouchegh

12. November 2024

Sicherheit für 12-, 24- und 48-V-Netze

Schutz von Kfz-Leiterplatten durch flexible ESD-Bausteine

Der Aufbau von Fahrzeugen ändert sich radikal und es kommen neue Netze mit höheren Spannungen als den üblichen 12 V zum Einsatz. Um diese Netze zuverlässig gegen ESD zu schützen, benötigen Entwickler ein breites Spektrum an Schutzbausteinen.

Andreas Hardock

2. September 2024

Sehr gutes Schaltverhalten und hohe Zuverlässigkeit

GaN-FETs: Kupfer-Clip-Gehäuse eröffnen neue Möglichkeiten

Hochleistungs-GaN-FETs kombiniert mit einem Kupfer-Clip-Gehäuse bieten ein sehr gutes Schaltverhalten mit einem hohen Maß an Zuverlässigkeit und erfüllen die steigenden Leistungsanforderungen neuer Anwendungen. Wie das funktioniert.

Giuliano Cassataro

16. May 2024

Halbleiter mit breiter Bandlücke im Kupfer-Clip-Gehäuse

GaN-FETs bieten hohe Schaltstabilität und thermische Leistung

Nexperia kombiniert die Vorteile von Kupfer-Clip-Gehäusen und Halbleitern mit breiter Bandlücke, um GaN-FET-Bauelemente für Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien bereitzustellen. Die Bausteine zeichnen sich durch niedrigen RDS(on) aus.

Jessica Mouchegh

6. December 2023

Hohe Einschaltwiderstände und Temperaturstabilität

Nexperia kündigt erste Siliziumkarbid-MOSFETs an

Um der wachsenden Nachfrage nach Hochleistungs-SiC-Mosfets für industrielle Anwendungen nachzukommen, bringt Nexperia zwei diskrete 1200-V-Bausteine auf den Markt. Weitere Bauelemente auch für die Automobilindustrie sollen folgen.

Jessica Mouchegh

5. December 2023

650-V-Siliziumkarbid-Gleichrichtermodul für Leistungsanwendungen

Nexperia kooperiert mit Kyocera bei SiC-Gleichrichtermodul

Die Markteinführung eines gemeinsam entwickelten SiC-Gleichrichtermoduls ist der erste Schritt in einer langfristig angelegten Partnerschaft zwischen Nexperia und Kyocera AVX. Das Modul ist für Hochfrequenz-Leistungsanwendungen vorgesehen.

Jessica Mouchegh

6. October 2023

Von SO8- zum CCPAK1212-Gehäuse

Copper Clip: Wie der Kupferclip die MOSFETs revolutionierte

Die rasante Evolution der Computerindustrie in den 1990er Jahren war Auslöser für wahre Revolutionen in der Halbleiter- und Gehäuse-Technologie. Ein Blick auf die Geschichte der MOSFETs und speziell ihrer Gehäusetechnologie.

Ricardo "Ding" Yandoc

20. March 2023

Elektrothermische Modelle für mehr Durchblick auf der PCB

Neue Modelle: Leistungs-MOSFETs sehr realitätsnah simulieren

Standard-Simulationsmodelle für Leistungs-MOSFETs können die Leistung der Komponenten nur zum Teil abbilden. Mit neuartigen elektrothermischen Modellen ist ein wesentlich genauerer Einblick in das reale Verhalten von Bauteil und Leiterplatte möglich.

Andy Berry

9. August 2022

Thermisch stabil bei hohen Schaltfrequenzen

Wie steigern SiGe-Dioden die Effizienz von AC/DC-Wandlern?

Bisher konnten Ingenieure zwischen zwei Diodentechnologien für schnell schaltende Netzteilen wählen: Schottky-Dioden oder Fast-Recovery-Dioden. Dabei war ein Kompromiss zwischen thermischem Weglaufen und Energieeffizienz notwendig. SiGe-Dioden kombinieren die besten Eigenschaften beider Typen und eliminieren die meisten Nachteile.

Dr.-Ing. Reza Behtash und Ole Thomsen

8. February 2022

Vorteile von Trench-Schottky-Dioden bei hohen Schaltfrequenzen

Im Vergleich zu planaren Dioden bieten Trench-Schottky-Dioden Entwicklern viele Vorteile. Dazu gehören geringe Schaltverluste und ein größerer sicherer Betriebsbereich (SOA). Besonders bei hohen Schaltfrequenzen machen sich die Vorteile bemerkbar.

Dr. Reza Behtash, Nexperia

6. December 2021

Maximale Energieeffizienz von Halbleiterschaltern in Spannungswandlern beginnt mit der Wahl der richtigen Halbleitertechnologie

Halbleiterschalter bilden das Fundament von Spannungswandlern. Will man die Energieeffizienz solcher Schaltungen maximieren, muss man die für diese Anwendung bestgeeignete Halbleitertechnologie wählen.

Dr. Dilder Chowdhury, Dr. Jim Honea, Nexperia

17. May 2021

Design von Automotive-Ethernet-Lösungen

SEED-Simulation helfen bei der Entwicklung von ESD-Schutzsystemen

Die Datenmengen im Fahrzeug und die Anforderungen an das Automotive-Ethernet steigen. Elektrostatische Entladung und Robustheit sind Faktoren, die Entwickler bei ihrem Design beachten müssten. Mit der SEED-Simulation können sie ihre Designs testen.

Sergej Bub, Lukas Droemer, Andreas Hardock

16. April 2021

Diskrete Bauelemente für ADAS

DFN-Gehäusetechnologie verbessert thermisches Bauelemente-Verhalten im Auto

Das autonome Fahren erfordert eine enorme Rechenleistung. Der heutige Trend bei höheren Architekturen für Fahrerassistenzsysteme (ADAS) geht in Richtung Zentralisierung und ist sehr Software-getrieben. Dennoch dürfen diskrete Bauelemente in der Peripherie nicht vernachlässigt werden, denn ohne sie kommt das System nicht auf die Straße.

Dr. Jan Preibisch

15. September 2020

Nach Übernahme durch Wingtech

Xuezheng Zhang wird CEO von Nexperia

Frans Scheper, CEO von Nexperia (im Bild), geht in den Ruhestand, teilte das Unternehmen mit. Sein Nachfolger wird Xuezheng Zhang (Wing).

Gunnar Knüpffer

25. March 2020

Wirtschaftlich, zuverlässig und anwenderfreundlich

Konstantstrom-Treiber steuern LEDs mit mittlerer Leistung an

Beim größten Teil der Anwendungen mit LEDs kommen Ströme unterhalb 500 mA zum Einsatz. Diese lassen sich mit Konstantstromquellen ansteuern. Welche Überlegungen kommen dabei in der Praxis zum Tragen?

Dr.-Ing. Jan Preibisch

3. August 2019